2015年2月9日，美国商务部产业与安全局（BIS）认定国外存在各向异性等离子干法刻蚀设备（用于生产两用半导体设备，如闪速存储器、微波单片集成电路、晶体管、以及模拟数字转换器，这些设备用于雷达、点对点无线电通信、微处理器、蜂窝基础设施和卫星通信），该产品在商业管制清单下的出口管制分类编号（ECCN）为3B001.c。BIS评估结果认定国外存在各向异性等离子干法刻蚀设备，根据《1979年出口法案》第5（f）和《出口管理条例》768部分，BIS建议国务院将ECCN 3.B.1.c类从《瓦森纳安排》的两用清单中删除。

    2014年7月16日，国际半导体设备与材料行业协会（SEMI）向BIS提出国外可用性评估申请，认为中国存在各向异性等离子干法刻蚀设备，要求审查和评价美国对部分物项实施出口管制的有效性。9月8日，BIS启动调查，与利害关系方举行部门间会议，获悉出口情况，走访一家中国各向异性等离子体刻蚀设备生产商和一家利用中国各向异性等离子体刻蚀设备的铸造厂。