商务部公告2014年第4号 关于对原产于美国的进口太阳能级多晶硅反补贴调查最终裁定的公告

 

中华人民共和国商务部

公     告

2014年  第4号

 

根据《中华人民共和国反补贴条例》（以下简称《反补贴条例》）的规定，2012年7月20日，商务部（以下称调查机关）发布年度第41号公告，决定对原产于美国的进口太阳能级多晶硅（以下称被调查产品）进行反补贴立案调查。该产品归在《中华人民共和国进出口税则》：28046190。该税则号项下用于生产集成电路、分立器件等半导体产品的电子级多晶硅不在本次调查产品范围之内。

调查机关对被调查产品是否存在补贴及补贴金额、中国太阳能级多晶硅产业是否受到损害及损害程度以及补贴与损害之间的因果关系进行了调查。根据调查结果和《反补贴条例》第二十五条的规定，2013年9月16日，调查机关发布初裁公告，认定被调查产品存在补贴，中国太阳能级多晶硅产业受到了实质损害，而且补贴与实质损害之间存在因果关系。

初步裁定后，调查机关继续对补贴和补贴金额、损害和损害程度以及补贴与损害之间的因果关系进行调查。现本案调查结束，根据调查结果，并依据《反补贴条例》第二十六条的规定，调查机关作出最终裁定（见附件）。现将有关事项公告如下：

一、最终裁定

经过调查，调查机关最终裁定，在本案调查期内，被调查产品存在补贴，中国太阳能级多晶硅产业受到实质损害，而且补贴与实质损害之间存在因果关系。

二、被调查产品范围及措施范围

本案被调查产品及实施措施产品的具体描述如下：

调查和措施范围：原产于美国的进口太阳能级多晶硅。

被调查产品名称：太阳能级多晶硅。英文名称：Solar-Grade Polysilicon。

被调查产品的具体描述：以氯硅烷为原料采用（改良）西门子法和硅烷法等工艺生产的，用于生产晶体硅光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。

被调查产品电学参数为：基磷电阻率<300欧姆∙厘米（Ω ∙ cm）；基硼电阻率<2600欧姆∙厘米（Ω ∙ cm）；碳浓度>1.0×1016（at/cm3）；n型少数载流子寿命<500μs；施主杂质浓度>0.3×10-9;受主杂质浓度>0.083×10-9 。

主要用途：主要用于太阳能级单晶硅棒和定向凝固多晶硅锭的生产，是生产晶体硅光伏电池的主要原料。

该产品归在《中华人民共和国进出口税则》：28046190。该税则号项下用于生产集成电路、分立器件等半导体产品的电子级多晶硅不在本次调查产品范围之内。

　  三、征收反补贴税

　　根据《反补贴条例》的有关规定，调查机关向国务院关税税则委员会提出对原产于美国的进口太阳能级多晶硅征收反补贴税的建议。国务院关税税则委员会根据调查机关的建议作出决定，自2014年1月20日起，对原产于美国的进口太阳能级多晶硅征收反补贴税。对各公司征收的反补贴税税率如下：

1.赫姆洛克半导体公司                      2.1%

（Hemlock Semiconductor Corporation）

2.REC太阳能级硅有限责任公司                 0%

（REC Solar Grade Silicon LLC）

3.REC先进硅材料有限责任公司                 0%

（REC Advanced Silicon Materials LLC）

4.MEMC帕萨迪纳有限公司                      0%

（MEMC Pasadena,Inc.）

5.AE Polysilicon Corporation              2.1%

6.其他美国公司（All Others）               2.1%

在补贴调查期内，原产于REC太阳能级硅有限责任公司的进口被调查产品从价补贴率为0.2%，属于微量补贴；原产于REC先进硅材料有限责任公司和MEMC帕萨迪纳有限公司的进口被调查产品均未获得补贴。原产于此三家公司的进口被调查产品适用的反补贴税税率为0%。

四、征收反补贴税的方法

自2014年1月20日起，进口经营者在进口被调查产品时，应向中华人民共和国海关缴纳相应的反补贴税。反补贴税以海关审定的完税价格从价计征，计算公式为：反补贴税额=海关完税价格×反补贴税税率，进口环节增值税以海关审定的完税价格加上关税和反补贴税作为计税价格从价计征。

五、反补贴税的追溯征收

对自2013年9月20日起至2014年1月19日止，有关进口经营者依初裁公告向中华人民共和国海关所提供的临时反补贴税保证金，按终裁所确定的征收反补贴税的商品范围和反补贴税税率计征并转为反补贴税，并按相应的增值税税率计征进口环节增值税。在此期间有关进口经营者所提供的临时反补贴税保证金超出反补贴税的部分，以及由此多征的进口环节增值税部分，海关予以退还，少征部分则不再征收。

对实施临时反补贴措施决定公告之日前进口的原产于美国的进口太阳能级多晶硅不再追溯征收反补贴税。

六、征收反补贴税的期限

对原产于美国的进口太阳能级多晶硅征收反补贴税的实施期限自2014年1月20日起5年。

　　七、复审

　　在征收反补贴税期间，有关利害关系方可以根据《反补贴条例》的相关规定，向调查机关书面申请复审。

八、行政复议和行政诉讼

对本案终裁决定及征收反补贴税的决定不服的，根据《反补贴条例》第五十二条的规定，可以依法申请行政复议，也可以依法向人民法院提起诉讼。

九、本公告自2014年1月20日起执行。

 

附件：中华人民共和国商务部对原产于美国的进口太阳

能级多晶硅反补贴调查的最终裁定

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

 

商务部

2014年1月20日

 

 

 

 

 

 

 

 

 

附件

中华人民共和国商务部对原产于美国的进口

太阳能级多晶硅反补贴调查的最终裁定

 

根据《中华人民共和国反补贴条例》（以下称《反补贴条例》）的规定，2012年7月20日，商务部（以下称调查机关）发布年度第41号公告，决定对原产于美国的进口太阳能级多晶硅（以下称被调查产品）进行反补贴立案调查。该产品归在《中华人民共和国进出口税则》：28046190。该税则号项下用于生产集成电路、分立器件等半导体产品的电子级多晶硅不在本次调查产品范围之内。

调查机关对被调查产品是否存在补贴及补贴金额、中国太阳能级多晶硅产业是否受到损害及损害程度以及补贴与损害之间的因果关系进行了调查。根据调查结果和《反补贴条例》第二十五条的规定，2013年9月16日，调查机关发布初裁公告，认定被调查产品存在补贴，中国太阳能级多晶硅产业受到了实质损害，而且补贴与实质损害之间存在因果关系。

初步裁定后，调查机关继续对补贴和补贴金额、损害和损害程度以及补贴与损害之间的因果关系进行调查。现本案调查结束，根据调查结果，并依据《反补贴条例》第二十六条的规定，调查机关作出最终裁定如下：

一、立案前磋商

2012年7月2日，调查机关收到江苏中能硅业科技发展有限公司、江西赛维LDK光伏硅科技有限公司、洛阳中硅高科技有限公司和重庆大全新能源有限公司（以下简称申请人）代表国内多晶硅产业提交的反补贴调查申请，请求对原产于美国的进口被调查产品进行反补贴调查。收到申请材料后，根据《反补贴条例》第十六条的规定，2012年7月9日，调查机关就有关反补贴调查事项向美国政府发出进行磋商的邀请，并向美国驻华使馆转交了申请书的公开版本。中美两国政府代表于2012年7月17日进行了磋商。

二、调查程序

（一）                       立案及立案通知。

1.立案。

调查机关经审查申请人提交的申请材料，认为申请人符合《反补贴条例》第十一条、第十三条和第十七条有关国内产业提出反补贴调查申请的规定。同时，申请书中包含了《反补贴条例》第十四条、第十五条规定的反补贴调查立案所要求的内容及有关证据。

在完成申请材料的审查及磋商后，根据《反补贴条例》第十六条的规定，2012年7月20日，调查机关发布商务部第41号公告，决定对原产于美国的进口被调查产品进行反补贴立案调查。

调查机关确定的补贴调查期为2011年7月1日至2012年6月30日，产业损害调查期为2008年1月1日至2012年6月30日。

2.立案通知。

2012年7月20日，调查机关发布商务部第41号公告，并向美国驻中国大使馆正式提供了该立案公告。同日，调查机关将本案立案情况通知了申请人及申请书中列明的美国生产商、出口商。

3.立案后评论意见。

调查机关发布商务部2012年第41号公告后，相关利害关系方对被调查产品范围及申请书提出了评论意见，主要意见以及初步裁定如下：

（1）2012年8月8日，美国REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司向调查机关提交书面评论《关于：对原产于美国和韩国的进口太阳能级多晶硅的反倾销/反补贴调查被调查产品范围和申请书的评论》（公开版本见商务部公开信息查阅室）。

（2）2012年8月8日，美国赫姆洛克半导体公司向调查机关提交书面评论《对进口太阳能级多晶硅反倾销调查和反补贴调查立案公告中被调查产品范围的评论意见》（公开版本见商务部公开信息查阅室）。

（3）2012年8月2日，申请人向调查机关提交书面文件《请求调查机关进一步明确被调查产品范围的申请》（公开版本见商务部公开信息查阅室）。

对于上述（2）中美国赫姆洛克半导体公司提出的请求澄清被调查产品技术指标问题，调查机关调查后，在评估申请人文件基础上，对被调查产品的技术指标做了进一步的细化，并在随后发放的调查问卷中明确了被调查产品的范围。

对于上述（1）中REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司提出的流化床法产品不应当包括在被调查产品范围之内的评论意见，调查机关征求了申请人等其他利害关系方的意见。

在随后的调查中，没有利害关系方就被调查产品技术指标和描述问题发表新的评论，调查机关决定在终裁中维持初裁的认定。

（二）补贴及补贴金额的初步调查。

1.登记应诉。

根据公告要求，自商务部第41公告发布之日起20天的登记应诉期内，美国政府（由美国贸易代表办公室代表）、被调查产品生产商/贸易商/下游用户REC太阳能级硅有限责任公司（REC Solar Grade Silicon LLC）、REC先进硅材料有限责任公司（REC Advanced Silicon Materials LLC）、赫姆洛克半导体公司（Hemlock Semiconductor Corporation）、MEMC电子材料公司（MEMC Electronic Materials,Inc.）、美国瓦克化学公司（Wacker Chemical Corporation ）、瓦克多晶硅北美有限公司（Wacker Polysilicon North America LLC）、HOKU公司（HOKU Corporation）、常州天合光能有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司等公司向调查机关登记补贴应诉。

2.发放问卷和收取答卷。

2012年8月20日，调查机关向登记应诉的美国政府发放了反补贴调查政府问卷，向登记应诉的美国生产商和出口商发放了反补贴调查企业问卷。另外，调查机关还向申请书中列明的其他生产商和出口商发放了反补贴调查企业问卷，并将调查问卷登载在商务部网站上，任何利害关系方可在商务部网站上查阅并下载本案调查问卷。

调查机关要求美国政府和涉案公司在37天内按规定提交准确、完整的答卷。在该期间内，美国政府和有关应诉公司向调查机关申请延期递交答卷并陈述了相关理由。经审查，调查机关同意给予美国政府和申请公司适当延期。至答卷递交截止之日，调查机关收到了美国政府、美国REC太阳能级硅有限责任公司、REC先进硅材料有限责任公司、REC硅有限公司、赫姆洛克半导体公司、MEMC帕萨迪纳有限公司（MEMC电子材料公司在提交答卷时名称已变更为MEMC帕萨迪纳有限公司）、美国瓦克化学公司、瓦克多晶硅北美有限公司递交的有关补贴部分问卷的答卷，以及HOKU公司递交的《关于调查期间无对中国出口的说明》。

此后，调查机关还分别要求有关应诉公司对答卷内容进行解释澄清，在规定的时间内，调查机关收到了有关应诉公司提交的补充答卷资料。

3.有关利害关系方发表的意见。

调查期间，有关利害关系方拜会调查机关或以书面文件方式对本案调查中的有关问题发表了意见。

（1）美国MEMC公司中国区总经理曾宪章先生于2012年7月31日、美国MEMC公司法律政府事务部副总经理KEVIN LAPIDUS先生于2012年8月15日、REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司法律顾问苏辛女士于2013年1月10日分别拜会了调查机关（以上会见纪要见商务部公开信息查阅室）。

（2）2012年11月16日，REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司向调查机关提交《关于：提请召开太阳能级多晶硅反倾销/反补贴调查产品范围听证会的申请书》（公开版本见商务部公开信息查阅室）。

（3）2012年12月10日，申请人就上述REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司提交的材料发表了抗辩意见《对REC＜提请召开太阳能级多晶硅反倾销/反补贴调查产品范围听证会的申请书＞的评论》（公开版本见商务部公开信息查阅室）。

（4）2013年1月7日，REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司再次就申请人抗辩意见发表评论《关于：对申请人就REC公司产品范围听证会申请之评论的评论意见》（公开版本见商务部公开信息查阅室）。

（5）2013年1月8日，REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司代理人向调查机关提交《关于：太阳能级多晶硅反倾销/反补贴案调查的面谈纲要》，请求会见案件调查官员。

（6）2012年12月7日，晶龙实业集团有限公司向调查机关提交《晶龙实业集团有限公司关于放缓对欧美多晶硅“双反”的诉求函》，建议调查机关控制多晶硅“双反”调查案调查节奏，放缓步伐（见商务部公开信息查阅室）。

（7）2013年1月15日，中国机电产品进出口商会致函调查机关对本案表示关注（见商务部公开信息查阅室）。

（8）2013年3月，西安华晶电子技术股份有限公司、常州亿晶光电科技有限公司太阳能级多晶硅下游用户致函调查机关，主张国内生产的多晶硅产品和进口流化床产品不是同类产品，请求将流化床法生产的产品从被调查产品中排除，并希望召开产品范围听证会（见商务部公开信息查阅室）。

    （三）产业损害及损害程度的初步调查。

1.产业损害调查期。

调查机关在立案公告中明确，本案产业损害调查期（以下称调查期）为2008年1月1日至2012年6月30日。

2.参加产业损害调查活动登记。

根据《反补贴产业损害调查规定》第十九条、第二十一条的规定，2012年7月20日，调查机关发出了《关于参加太阳能级多晶硅产品反补贴案产业损害调查活动登记的通知》（商调查函[2012]262号）。2012年8月9日，参加调查活动登记期截止, 共计14家利害关系方向调查机关提交反补贴调查活动登记申请，分别为：

国外生产者/出口商7家：赫姆洛克半导体公司、瓦克多晶硅北美有限公司、美国瓦克化学公司、REC先进硅材料有限责任公司、REC太阳能级硅有限责任公司、MEMC电子材料公司、HOKU公司；国内进口商6家：无锡尚德太阳能电力有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、保定天威英利新能源有限公司、英利能源（中国）有限公司、常州天合光能有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司；利害关系方政府1家：美国贸易代表办公室。

经审查，调查机关接受了上述利害关系方的应诉登记申请。

3.成立产业损害调查组。

2012年8月15日，调查机关发出《关于成立太阳能级多晶硅产品反倾销和反补贴案产业损害调查组的通知》（商调查（三处）函[2012]319号），成立了太阳能级多晶硅反补贴案产业损害调查组，负责本案的产业损害调查工作。

4.发放和收回调查问卷。

根据《反补贴条例》第二十条和《反补贴产业损害调查规定》第二十四条、第二十五条的规定，2012年8月15日，调查机关向本案利害关系方发放了《太阳能级多晶硅产品反倾销和反补贴案产业损害调查问卷（国内生产者调查问卷）》（商调查函[2012]315号）（以下称《国内生产者调查问卷》）、《太阳能级多晶硅产品反倾销和反补贴案产业损害调查问卷（国内进口商调查问卷）》（商调查函[2012]316号）（以下称《国内进口商调查问卷》）和《太阳能级多晶硅产品反倾销和反补贴案产业损害调查问卷（国外<地区>生产者/出口商调查问卷）》（商调查函[2012]317号）（以下称《国外<地区>生产者/出口商调查问卷》）。

2012年9月11日，MEMC电子材料公司向调查机关提交了延期递交答卷的申请；2012年9月14日，赫姆洛克半导体公司向调查机关提交了延期递交答卷的申请。经研究，调查机关批准了上述延期申请。

在规定的答卷期限或经批准延期递交答卷的期限内，调查机关共收到4份国内生产者问卷答卷，6份国内进口商问卷答卷，6份国外（地区）生产者/出口商问卷答卷。其中，国内生产者4家：江苏中能硅业科技发展有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、江西赛维LDK光伏硅科技有限公司、大全新能源有限公司；国内进口商6家：英利能源(中国)有限公司、保定天威英利新能源有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司、上海东方久信集团有限公司；国外生产者/出口商6家：赫姆洛克半导体公司、美国REC先进硅材料有限责任公司、美国REC太阳能级硅有限责任公司、美国MEMC电子材料公司、美国瓦克化学公司、瓦克多晶硅北美有限公司。

5.听取利害关系方意见陈述。

根据《反补贴条例》第二十条的规定，2012年8月6日，调查机关收到申请人提交的《关于召开太阳能级多晶硅反倾销、反补贴案申请人意见陈述会的申请》。调查机关于2012年8月6日发出《关于召开太阳能级多晶硅反倾销及反补贴案申请人意见陈述会的通知》（商调查（三处）函[2012]300号）。2012年8月10日，调查机关召开对美国的太阳能级多晶硅反补贴案申请人意见陈述会，听取了申请人陈述提起申请的主要理由及对本案产业损害调查的相关问题的陈述，收到了本案申请人提交的陈述材料。

2012年12月27日，REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司向调查机关提出了拜访请求。根据《反补贴条例》第二十条的规定，调查机关于2013年1月10日接待上述利害关系方，听取其意见陈述，收到了其提交的《产业损害调查局面谈纲要》。

6.接收利害关系方书面意见。

2012年8月8日，赫姆洛克半导体公司向调查机关提交了《对进口太阳能级多晶硅反倾销调查和反补贴调查立案公告中被调查产品范围的评论意见》。

2012年8月8日，REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司向调查机关提交了《关于：对原产于美国和韩国的进口太阳能级多晶硅的反倾销/反补贴调查被调查产品范围和申请书的评论》。

2012年10月11日，HOKU公司向调查机关提交了《HOKU 公司关于调查期间无对中国出口的说明》。

2012年10月11日，MEMC电子材料公司向调查机关提交了《关于太阳能级多晶硅产品反倾销和反补贴案产业损害调查问卷答卷主体的说明》。

2012年11月9日，赫姆洛克半导体公司向调查机关提交了《太阳能级多晶硅产品反倾销和反补贴案调查无损害抗辩》。

2013年1月23日，REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司向调查机关提交了《进口太阳能级多晶硅反倾销和反补贴调查无损害抗辩意见书》。

2013年1月29日，申请人向调查机关提交了《对Hemlock公司<进口太阳能级多晶硅反倾销反补贴案无损害抗辩>的评论意见》。

2013年2月7日，赫姆洛克半导体公司向调查机关提交了《进口太阳能级多晶硅反倾销反补贴案无损害抗辩》。

2013年2月27日，申请人向调查机关提交了《对REC<提请召开太阳能级多晶硅反倾销/反补贴调查产品范围听证会的申请书>的评论》。

2013年3月6日，常州亿晶光电科技有限公司向调查机关提交了《关于对原产于美国和韩国的进口太阳能级多晶硅的反倾销和反补贴调查的评论》。

7.初裁前实地核查。

根据《反补贴条例》第二十条和《反补贴产业损害调查规定》第二十七条的规定，2012年11月5日，调查机关发出了《关于太阳能级多晶硅反倾销和反补贴案初裁前实地核查的通知》（商调查函[2012]453号）。2013年1月，调查机关先后对国内生产者洛阳中硅高科技有限公司和大全新能源有限公司进行了初裁前实地核查。实地核查期间，调查机关对申请人提交的申请书及调查问卷答卷中的信息和企业生产经营状况进行了核查。核查结束后，申请人向调查机关提交了核查后补充材料。

（四）延期公告。

2013年7月19日，根据《反补贴条例》第二十七条的规定，调查机关发布公告，决定将本案的调查期限延长六个月，即截止日期为2014年1月20日。

（五）初裁决定及公告。

2013年9月16日，调查机关发布年度第63号公告，公布了本案初裁决定。初裁认定被调查产品存在补贴，中国国内太阳能级多晶硅产业受到了实质损害，而且补贴与实质损害之间存在因果关系。公告决定自2013年9月20日起，中华人民共和国对被调查产品实施临时反补贴措施。自该日起，进口经营者在进口被调查产品时，应依据初裁决定所确定的各公司从价补贴率向中华人民共和国海关提供相应的临时反补贴税保证金。

公告当日，调查机关向美国驻中国大使馆、本案申请人和提交应诉答卷的公司提供初裁公告，并将公告登载在商务部网站上供各利害关系方和公众查阅。

（六）初裁后对补贴及补贴金额的继续调查。

1.初裁后信息披露和证据搜集。

根据初裁公告的要求，各利害关系方在初步裁定发布之日起10天内可以就初步裁定向调查机关提出书面评论并附相关证据。同时，本案初裁后，调查机关向美国驻中国大使馆、REC太阳能级硅有限责任公司、REC先进硅材料有限责任公司、赫姆洛克半导体公司、MEMC帕萨迪纳有限公司披露并说明了初步裁定中计算各公司从价补贴率时所依据的基本事实，并给予各利害关系方提出评论意见的机会。

2013年9月25日，赫姆洛克半导体公司提交对初步裁定的书面评论。2013年9月26日，美国瓦克化学公司、瓦克多晶硅北美有限公司提交对初步裁定的书面评论。2013年10月8日，美国驻中国大使馆提交对初步裁定和初裁披露的书面评论。调查机关在对各公司的最终裁定中对上述书面评论中的主张依法予以了考虑。

2.产品范围听证会。

应REC太阳能级硅有限责任公司等申请，2013年8月14日，调查机关发布《关于召开太阳能级多晶硅反倾销和反补贴案产品范围听证会的通知》，告知各利害关系方调查机关将于2013年8月30日召开本案产品范围听证会，各利害关系方可报名参加。

2013年8月26日，调查机关发布《关于召开太阳能级多晶硅反倾销和反补贴案产品范围听证会的进一步通知》，公布听证会会议议程、发言名单和报名参会名单等相关事宜。

2013年8月30日，调查机关举行太阳能级多晶硅反补贴案产品范围听证会。REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司、西安华晶电子技术股份有限公司、常州亿晶光电科技有限公司、国内申请人、中国有色金属工业协会、美国驻中国大使馆在听证会上陈述各自意见。会后，国内申请人和美国驻中国大使馆提交了书面发言材料。调查机关对上述陈述意见依法予以了考虑。

3.实地核查。

为进一步核实美国政府和各应诉公司提交材料的真实性、完整性和准确性，调查机关组成反补贴调查实地核查小组，于2013年10月17日至31日分别对美国能源部、财政部、密执安州经济发展局、密执安州财政部门、密执安州Thomas镇政府、赫姆洛克半导体公司、MEMC帕萨迪纳有限公司、REC太阳能级硅有限责任公司进行了实地核查。

核查期间，美国联邦政府和密执安州政府相关部门的官员和被核查公司的财务人员、销售人员和管理人员接受了核查小组的询问，并根据要求提供了有关证明材料。核查小组核查了有关补贴项目的法律依据、管理部门和具体执行情况，以及被核查公司对补贴项目的使用情况等信息。对美国政府和被核查公司提交材料的完整性、真实性和准确性进行了核查，并进一步搜集了相关证据。

实地核查结束后，调查机关依据《反补贴调查实地核查暂行规则》第十九条的规定，向美国政府和被核查公司披露了实地核查记录。2013年12月12日，美国政府提交了《关于：原产于美国的进口太阳能级多晶硅反补贴调查/实地核查记录的评论意见》。

对实地核查中收集到的材料和信息以及实地核查后有关利害关系方就实地核查披露的评论意见，调查机关在最终裁定中依法予以了考虑。

4.最终裁定前信息披露。

本案终裁前，调查机关依据《反补贴条例》第二十六条的规定，向美国政府、REC太阳能级硅有限责任公司、REC先进硅材料有限责任公司、赫姆洛克半导体公司、MEMC帕萨迪纳有限公司披露并说明了计算各公司从价补贴率时所依据的基本事实，并给予相关利害关系方提出评论意见的机会。在规定的时间内，调查机关未收到相关利害关系方对终裁披露的评论意见。

5.有关利害关系方发表的其他意见

2013年10月9日，赫姆洛克半导体公司提交《进口太阳能级多晶硅反补贴案微小更正清单》。

2013年11月12日，REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司代表与调查机关面谈（会见纪要见商务部公开信息查阅室）。

（七）初裁后对损害及损害程度的继续调查。

1.召开产业损害调查听证会。

2013年1月23日，REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司向调查机关提交了《关于提请召开太阳能级多晶硅反倾销/反补贴调查产业损害听证会的申请书》。2013年2月27日，赫姆洛克半导体公司向调查机关提交了《关于提请召开进口多晶硅反倾销、反补贴调查产业损害听证会的申请书》。调查机关经研究，决定召开产业损害调查听证会，2013年8月9日，调查机关发出《商务部关于召开太阳能级多晶硅反倾销、反补贴案产业损害调查听证会的通知》（商调查三处函[2013]396号）。2013年8月28日，调查机关发出了《关于召开对原产于美国、韩国的太阳能级多晶硅反倾销、反补贴案产业损害调查听证会的补充通知》（商调查三处函[2013]445号）。2013年9月2日，调查机关召开了对原产于美国的太阳能级多晶硅反补贴案产业损害调查听证会，共计17家利害关系方参加了听证会。

听证会上，本案申请人、赫姆洛克半导体公司、REC太阳能级硅有限责任公司、REC先进硅材料有限责任公司、美国驻中国大使馆就国内产业认定、累积评估恰当性、国内产业是否受到实质损害、补贴和实质损害之间的因果关系等内容分别陈述了各自的意见。在听证会后规定的时间内，调查机关收到了申请人、赫姆洛克半导体公司、REC太阳能级硅有限责任公司、REC先进硅材料有限责任公司、美国驻中国大使馆提交的听证会发言的书面材料。利害关系方在听证会上提出的主张，调查机关予以了充分考虑。

2.终裁前实地核查。

根据《反补贴条例》第二十条和《反补贴产业损害调查规定》第二十七条的规定，2013年 9月9日，调查机关发出了《关于太阳能级多晶硅反倾销反补贴案终裁前实地核查的通知》（商调查三处函[2013] 480号）。2013年9月，调查机关对申请人江苏中能硅业科技发展有限公司进行了终裁前实地核查，对初裁后利害关系方提出的有关问题进行了查证和核实，并收集了相关证据材料。

3.召开上下游企业意见陈述会。

为了充分听取国内上下游企业对本案的意见，2013年 9月9日，调查机关发出了《关于召开对美国和韩国的太阳能级多晶硅反倾销反补贴案上下游企业意见陈述会的通知》（商调查三处函[2013] 481号）。2013年9月，调查机关召开了太阳能级多晶硅反倾销反补贴案上下游企业意见陈述会，听取了国内部分上下游企业的意见陈述。

4.信息公开及终裁前信息披露。

根据《产业损害调查信息查阅与信息披露规定》第八条、第十四条的规定，本案公开材料均已送交商务部贸易救济措施公开信息查阅室。各利害关系方可以查找、阅览、摘抄、复印公开信息。

根据《反补贴条例》第二十五条和《产业损害调查信息查阅与信息披露规定》的规定，调查机关向本案利害关系方披露了本案最终裁定所依据的基本事实，并给予其提出评论意见的机会。

2014年1月16日，美国驻华大使馆向调查机关提交了《美国政府关于原产于美国的太阳能级多晶硅反补贴调查产业损害最终决定的披露之评论意见》。

在最终裁定中，调查机关对利害关系方提交的材料、提出的评论和意见依法给予了充分考虑。

三、被调查产品和调查范围

（一）被调查产品描述。

本案被调查产品范围及产品描述如下：

调查范围：原产于美国的进口太阳能级多晶硅。

被调查产品名称：太阳能级多晶硅。英文名称：Solar-Grade Polysilicon。

被调查产品的具体描述：以氯硅烷为原料采用（改良）西门子法和硅烷法等工艺生产的，用于生产晶体硅光伏电池的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品。

被调查产品电学参数为：基磷电阻率<300欧姆∙厘米（Ω ∙ cm）；基硼电阻率<2600欧姆∙厘米（Ω ∙ cm）；碳浓度>1.0×1016（at/cm3）；n型少数载流子寿命<500μs；施主杂质浓度>0.3×10-9;受主杂质浓度>0.083×10-9 。

主要用途：主要用于太阳能级单晶硅棒和定向凝固多晶硅锭的生产，是生产晶体硅光伏电池的主要原料。

该产品归在《中华人民共和国进出口税则》：28046190。该税则号项下用于生产集成电路、分立器件等半导体产品的电子级多晶硅不在本次调查产品范围之内。

（二）关于流化床法产品排除问题。

REC太阳能级硅有限责任公司在答卷中主张，其采用西门子法和流化床法两种工艺生产太阳能级多晶硅，采用流化床法生产的太阳能级多晶硅和采用西门子法生产的太阳能级多晶硅在物理和化学特性、生产流程和工艺、用途、生产成本四个方面存在重大差异，流化床法产品不属于被调查产品。

申请人在2012年12月10日提交的评论认为，本次反补贴调查的被调查产品只有一个，即“太阳能级多晶硅”，现有被调查产品范围含了“流化床法产品”在内的各种工艺、各种形状的太阳能级多晶硅、国产太阳能级多晶硅与进口太阳能级多晶硅是同类产品（公开版本见商务部公开信息查阅室）。

初裁时，调查机关暂认为，反补贴立案公告和随后的调查问卷中对被调查产品及相似产品做了明确规定，即本次反补贴被调查产品为太阳能级多晶硅，流化床法、硅烷法以及西门子法生产的太阳能级多晶硅均包含在被调查产品范围之内，初步调查表明，流化床法、硅烷法以及西门子法制造的太阳能级多晶硅的用户相同、用途相同、产品的质量和特性相同或相近，相互之间存在着竞争和替代关系，因此，无论哪种方法生产的原产自美国的太阳能级多晶硅，只要其物理、化学指标、用途等符合被调查产品的描述，均属于被调查产品。初裁后，REC太阳能级硅有限责任公司提交对初步裁定的评论，重申答卷中的主张。

应REC太阳能级硅有限责任公司和部分下游用户申请，初裁后，调查机关召开了产品范围听证会。

REC太阳能级硅有限责任公司在听证会上主张，流化床法产品和西门子法产品存在明显的物理特性差异，流化床法产品是球形的细颗粒，西门子法产品的碎料无法替代；用户认知存在差异，流化床法产品只是西门子法产品的一种添加和附加，不是替代产品；流化床法产品和西门子法产品的生产流程和工艺存在很大区别；流化床法产品的成本远低于西门子法产品的成本。鉴此，公司认为流化床法产品应排除在本次调查之外。

两家下游用户在听证会上主张，流化床法产品和西门子法产品的生产过程不同、原料不同、产品形态不同；流化床法产品的流动性可提高下游生产效率，降低成本；流化床法产品具有不可替代性；流化床法产品能耗少，符合国家绿色环保的理念；国内多晶硅企业无法生产流化床法产品。

国内申请人在听证会上表示，流化床法产品并非不可替代，下游中只有很小比例的企业掺杂使用流化床法产品，大多数完全使用西门子法产品，流化床法产品的“填缝”功能在下游实际生产过程中无实际意义，反而存在明显劣势；流化床法产品不是西门子法产品的附加，下游企业在生产中使用的流化床法产品实际上替代了西门子法产品；生产工艺或生产成本的异同不是判断同类产品的标准。

中国有色金属工业协会在听证会上主张，流化床法产品和西门子法产品的物理特征和化学特性相同、原材料和生产方式相同、产品的应用和销售渠道及客户群体相同、包装方式相同、质量评判标准相同。

美国驻中国大使馆在听证会上主张，调查机关在初步裁定中没有就如何分析涉案企业提交的辩论和证据进行详细解释，希在终裁前通知有关利害关系方关于产品范围裁定及其推证的详细解释。

在听取各利害关系方意见的基础上，经调查，调查机关认为，（1）REC太阳能级硅有限责任公司关于采用流化床法生产的产品应该排除在被调查产品之外的主张不成立，因为在本案中，其主张的形状不同、工艺不同、成本差异、认知度不同、是否相互替代等因素并不是界定某一产品是否属于被调查产品的因素。对于某一产品是否属于被调查产品的唯一认定标准是调查机关在立案公告或问卷中对于被调查产品的界定，凡符合该界定所描述的产品均应属于被调查产品；（2）在本案中被调查产品的描述、电学参数、用途、海关税则等是确定某一产品是否属于被调查产品的主要标准，无论哪种方法生产的太阳能级多晶硅，如果最终产品的描述、电学参数、用途、海关税则等符合被调查产品界定，则属于太阳能级多晶硅，因此，生产工艺不同并不是认定被调查产品的标准；（3）无论哪种方法生产的产品，如果不符合立案公告和问卷中关于被调查产品的界定，均不属于被调查产品。（4）从调查结果看，没有利害关系方主张，流化床法生产的太阳能级多晶硅不符合立案公告和调查问卷中的关于产品描述、电学参数、用途、海关税则的界定。因此，调查机关决定维持初裁的认定，即REC太阳能级硅有限责任公司采用流化床法生产的太阳能级多晶硅属于被调查产品。

四、国内同类产品和国内产业

（一）国内同类产品的认定。

根据《反补贴条例》第十二条和《反补贴产业损害调查规定》第十条、十一条关于同类产品认定的规定，调查机关对国内生产的太阳能级多晶硅与被调查产品的物理特征、化学性能、制造工艺、生产设备和原料、用途、销售渠道、客户及群体评价和产品可替代性、价格等因素进行了考察，调查证据显示：

1.物理特征和化学性能。调查机关在实地核查中收集了国内生产的太阳能级多晶硅质量检验相关证据，并将其与利害关系方提交的《国外<地区>生产者/出口商调查问卷答卷》中对被调查产品的描述进行了比较，结果显示，国内生产的太阳能级多晶硅与被调查产品外观基本一样，均为银灰色棒状、块状或颗粒状的固体，不溶于水，无气味，熔点为1410℃，分子量为28。其基磷电阻率、基硼电阻率、碳浓度、n型少数载流子寿命等电学参数与被调查产品相同，因此，调查机关认定，国内生产的太阳能级多晶硅与被调查产品的物理特征和化学性能基本相同。

2.制造工艺、生产设备和原料。《国内生产者调查问卷答卷》和《国外<地区>生产者/出口商调查问卷答卷》中的相关陈述以及实地核查中收集的证据表明，被调查产品与国内生产的太阳能级多晶硅的生产工艺基本一致，均以西门子法、硅烷法为主，主要由氢化、合成、提纯、还原等步骤组成。

被调查产品与国内生产的太阳能级多晶硅的生产设备基本相同，均由氢化器、提纯炉、还原器等主要设备构成。

被调查产品与国内生产的太阳能级多晶硅的生产原料均为硅粉或氯硅烷、氢气、液氯等。

REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司提出[1]：该公司采用流化床法工艺生产的颗粒状多晶硅产品（“流化床法颗粒状多晶硅”）在物理和化学特性、生产流程和工艺、用途和用户认知、销售价格等方面均不同于中国国内产业生产的产品。流化床法颗粒状多晶硅并非西门子法产品的替代物，前者只是后者的一种补充或添加产品。

对此，申请人提出[2]：首先，本案只有一个被调查产品——太阳能级多晶硅，将太阳能级多晶硅按照生产工艺人为分割为“西门子法多晶硅”、“硅烷法多晶硅”、“流化床法多晶硅”，这种主张与多晶硅产业的实际情况不符。其次，申请书和立案公告中对被调查产品范围的描述均为“以氯硅烷为原料采用（改良）西门子法和硅烷法等工艺生产的棒状多晶硅、块状多晶硅、颗粒状多晶硅产品”，此范围包含了各种生产工艺和形状的多晶硅。所谓的“流化床法”其实是硅烷法的一种类型。西门子法和硅烷法是两个平行的概念，均以硅粉和氢为主要原料，只是前者以三氯氢硅为中间产物，后者以硅烷为中间产物。不论是以三氯氢硅还是以硅烷为中间产物，都既可以通过还原炉分解沉积，也可以通过流化床分解沉积。REC公司选择的是“硅烷+流化床”的组合，仍然属于硅烷法。第三，“流化床法产品”与国产“西门子法产品”的物理和化学特性、用途没有实质差异，只是铸锭时先将块状“西门子法产品”放在坩埚内，然后用颗粒状的“流化床法产品”填充空隙，受热融合后形成硅锭再用来生产硅片。

调查机关注意到了上述利害关系方的主张，并进行了相应调查，根据《国内生产者调查问卷答卷》和《国外<地区>生产者/出口商调查问卷答卷》中产品描述和到申请企业现场了解，调查机关了解到，第一，流化床法与西门子法的原料相同，均为硅粉和氢；第二，流化床法生产的颗粒状多晶硅产品与西门子法生产的多晶硅产品用途相同，均在熔化铸锭后再生产单晶硅和硅片；第三，流化床法生产的颗粒状多晶硅产品与西门子法生产的多晶硅产品适用的质量标准、考核指标相同；第四，流化床法只是在最终产品产出时使用的设备为流化床，产出物为颗粒状，它仍然属于硅烷法的一种，正如REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司所承认的[3]，其生产时使用“硅烷的流化床法”；第五，流化床法产品颗粒较小，与西门子法生产的多晶硅产品破碎后产生的硅料较为相近，二者基本可以相互替代。因此，调查机关认为，流化床法生产的颗粒状多晶硅产品与西门子法生产的多晶硅产品不存在实质性差异。

3.用途。调查机关认定，被调查产品与国内生产的太阳能级多晶硅产品的用途相同，均用来制造太阳能级单晶硅棒或定向凝固多晶硅锭。

4.销售渠道。《国内生产者调查问卷答卷》和《国外<地区>生产者/出口商调查问卷答卷》中的相关陈述和实地核查中收集的客户名单显示，国内生产的太阳能级多晶硅产品与被调查产品销售渠道均以直接销售给终端用户为主。

5.客户及群体评价和可替代性。调查机关根据实地核查中收集到的客户满意度证明和客户名单等证据和《国内进口商调查问卷答卷》中提供的客户信息，认定国内生产的太阳能级多晶硅产品与被调查产品的客户群体有重合，部分下游用户同时使用国内生产的太阳能级多晶硅产品和被调查产品，二者间存在替代关系。

赫姆洛克半导体公司提出[4]：国内同类产品与进口被调查产品在产品品质和质量稳定性方面存在较大差距，与进口被调查产品相比，中国国内企业生产和销售的多晶硅产品的纯度较差，且质量不均匀。

对此，调查机关对实地核查中收集到的申请人内部质检报告和信息产业专用材料质量监督检验中心等第三方出具的检验报告等证据进行了分析，调查显示，申请人生产的太阳能级多晶硅产品质量符合国家标准GB/T25074-2010的要求，其中绝大多数产品达到或超过了国家标准GB/T25074-2010中一级品或二级品的要求，一部分产品甚至达到了电子级多晶硅产品的质量标准。调查机关将国家标准GB/T25074-2010与国际通行的标准SEMI进行了比较，国家标准与国际标准SEMI基本一致，部分指标甚至严于SEMI。调查机关也比较了《国外<地区>生产者/出口商调查问卷答卷》中提供的企业标准与本案申请人的企业标准，二者的关键指标基本一致，其他指标则互有高低。调查机关认定，被调查产品与本案申请人生产的太阳能级多晶硅产品生产中适用的标准基本相同，其品质并无实质差异，上述利害关系方的主张不符合实际情况。

6.价格。调查机关通过实地核查中获得的证据与中国海关统计数据比较后认定，调查期内，国内产品价格总体变化趋势与被调查产品进口价格变化趋势基本一致。

调查机关通过分析后认为，国内产业产品与被调查产品的物理特征和化学性能、制造工艺、生产设备和原料、用途、销售渠道、客户及群体评价基本相同，具有相似性和可比性，可以相互替代，价格总体变化趋势基本一致。因此，调查机关认定，国内生产的太阳能级多晶硅与被调查产品属于同类产品。

（二）国内产业的认定。

根据《反补贴条例》第十一条和《反补贴产业损害调查规定》第十三条规定，调查机关对本案国内产业进行了审查和认定。本案立案公告告知各利害关系方可向调查机关登记参加产业损害调查活动，并告知《参加太阳能级多晶硅产品反补贴案产业损害调查活动申请表》可在“中国贸易救济信息网”下载，调查机关还向已知利害关系方寄出了产业损害调查问卷。本案调查中，除申请人外，没有其他国内生产者参加产业损害调查活动并提交《国内生产者调查问卷答卷》。证据显示，本案调查期内，提交《国内生产者调查问卷答卷》企业生产的国内同类产品占国内同类产品总产量的比例分别为2008年63.26%、2009年54.87%、2010年65.97%、2011年61.86%、2012年1-6月78.62%，符合《反补贴条例》第十一条和《反补贴产业损害调查规定》第十三条关于国内产业认定的规定。因此，调查机关认定，提交《国内生产者调查问卷答卷》的国内生产者江苏中能硅业科技发展有限公司、江西赛维LDK光伏硅科技有限公司、洛阳中硅高科技有限公司和大全新能源有限公司构成本案调查的国内产业。本裁决所依据的国内产业数据，除特别说明外，均来自以上特定的国内生产者。

美国驻中国大使馆提出[5]，调查机关仅向申请人发放空白国内生产商调查问卷，并定义国内产业仅包括那些完成问卷的生产商，从而限制了国内产业定义仅为申请人。

对此，调查机关认为，本案立案后，调查机关向已知国内生产者发放了《国内生产者调查问卷》，同时通过中国贸易救济信息网对外公开发布，任何国内同类产品的生产企业均有机会向调查机关提交相应答卷。在规定的答卷期限内，除申请人外，没有其他国内生产者参加产业损害调查活动并提交《国内生产者调查问卷答卷》。而根据中国电子材料行业协会提供的产量证据，调查期内申请人生产的国内同类产品占国内同类产品总产量的主要部分。调查机关认定，美国驻华大使馆的主张与事实不符。

五、追溯征税调查

应国内产业申请，根据《反补贴条例》第四十五条的规定，2012年11月26日，商务部发布第84号公告，决定对原产于美国的进口太阳能级多晶硅进行追溯征税调查。

（一）启动追溯征税调查。

2012年9月7日，申请人向调查机关提交了《对原产于美国的太阳能级多晶硅追溯征收反补贴税的申请》。调查机关对该申请依法进行了审查，根据《反补贴条例》第四十五条的规定，决定自2012年11月26日开始对是否对原产于美国的进口太阳能级多晶硅追溯征收反补贴税进行调查，要求国外生产商或出口商以及国内进口商向调查机关提交按月统计的太阳能级多晶硅产品追溯征税调查信息表。

（二）回收太阳能级多晶硅产品追溯征税调查信息表。

向调查机关提交2012年1-11月太阳能级多晶硅产品追溯征税调查信息表的有国内进口商9家：西安隆基硅材料股份有限公司、南通综艺新材料有限公司、晶澳太阳能控股有限公司、江西旭阳雷迪高科技股份有限公司、保定天威英利新能源有限公司、英利能源（中国）有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司、西安华晶电子技术股份有限公司、上海九晶电子材料股份有限公司；国外生产商/出口商6家：REC先进硅材料有限责任公司、REC太阳能级硅有限责任公司、赫姆洛克半导体公司、MEMC帕萨迪纳有限公司、HOKU公司、瓦克多晶硅北美有限公司。

向调查机关提交2012年12月太阳能级多晶硅产品追溯征税调查信息表的有国内进口商4家：晶澳太阳能控股有限公司、保定天威英利新能源有限公司、英利能源（中国）有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司；国外生产商/出口商5家：REC先进硅材料有限责任公司、REC太阳能级硅有限责任公司、赫姆洛克半导体公司、MEMC帕萨迪纳有限公司、瓦克多晶硅北美有限公司。

向调查机关提交2013年1月太阳能级多晶硅产品追溯征税调查信息表的有国内进口商7家：西安隆基硅材料股份有限公司、南通综艺新材料有限公司、晶澳太阳能控股有限公司、保定天威英利新能源有限公司、英利能源（中国）有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司、浙江昱辉阳光能源有限公司；国外生产商/出口商5家：REC先进硅材料有限责任公司、REC太阳能级硅有限责任公司、赫姆洛克半导体公司、MEMC帕萨迪纳有限公司、瓦克多晶硅北美有限公司。

向调查机关提交2013年2月太阳能级多晶硅产品追溯征税调查信息表的有国内进口商6家：西安隆基硅材料股份有限公司、南通综艺新材料有限公司、晶澳太阳能控股有限公司、保定天威英利新能源有限公司、英利能源（中国）有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司；国外生产商/出口商5家：REC先进硅材料有限责任公司、REC太阳能级硅有限责任公司、赫姆洛克半导体公司、MEMC帕萨迪纳有限公司、瓦克多晶硅北美有限公司。

向调查机关提交2013年3月太阳能级多晶硅产品追溯征税调查信息表的有国内进口商6家：浙江昱辉阳光能源有限公司、南通综艺新材料有限公司、晶澳太阳能控股有限公司、保定天威英利新能源有限公司、英利能源（中国）有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司；国外生产商/出口商5家：REC先进硅材料有限责任公司、REC太阳能级硅有限责任公司、赫姆洛克半导体公司、MEMC帕萨迪纳有限公司、瓦克多晶硅北美有限公司。

向调查机关提交2013年4月太阳能级多晶硅产品追溯征税调查信息表的有国内进口商6家：西安隆基硅材料股份有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司、英利能源（中国）有限公司、保定天威英利新能源有限公司、南通综艺新材料有限公司、浙江昱辉阳光能源有限公司；国外生产商/出口商5家：REC先进硅材料有限责任公司、REC太阳能级硅有限责任公司、赫姆洛克半导体公司、MEMC帕萨迪纳有限公司、瓦克多晶硅北美有限公司。

向调查机关提交2013年5月太阳能级多晶硅产品追溯征税调查信息表的有国内进口商5家：英利能源（中国）有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司、保定天威英利新能源有限公司、南通综艺新材料有限公司、晶澳太阳能控股有限公司；国外生产商/出口商5家：REC先进硅材料有限责任公司、REC太阳能级硅有限责任公司、赫姆洛克半导体公司、MEMC帕萨迪纳有限公司、瓦克多晶硅北美有限公司。

向调查机关提交2013年6月太阳能级多晶硅产品追溯征税调查信息表的有国内进口商6家：英利能源（中国）有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司、保定天威英利新能源有限公司、南通综艺新材料有限公司、晶澳太阳能控股有限公司、浙江昱辉阳光能源有限公司；国外生产商/出口商5家：REC先进硅材料有限责任公司、REC太阳能级硅有限责任公司、赫姆洛克半导体公司、MEMC帕萨迪纳有限公司、瓦克多晶硅北美有限公司。

向调查机关提交2013年7月太阳能级多晶硅产品追溯征税调查信息表的有国内进口商4家：南通综艺新材料有限公司、晶澳太阳能控股有限公司、浙江昱辉阳光能源有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司；国外生产商/出口商4家：REC先进硅材料有限责任公司、REC太阳能级硅有限责任公司、赫姆洛克半导体公司、MEMC帕萨迪纳有限公司。

向调查机关提交2013年8月太阳能级多晶硅产品追溯征税调查信息表的有国内进口商2家：无锡尚德太阳能电力有限公司、晶澳太阳能控股有限公司；国外生产商/出口商4家：REC先进硅材料有限责任公司、REC太阳能级硅有限责任公司、赫姆洛克半导体公司、MEMC帕萨迪纳有限公司。

向调查机关提交2013年9月太阳能级多晶硅产品追溯征税调查信息表的有国内进口商2家：无锡尚德太阳能电力有限公司、晶澳太阳能控股有限公司；国外生产商/出口商4家：REC先进硅材料有限责任公司、REC太阳能级硅有限责任公司、赫姆洛克半导体公司、MEMC帕萨迪纳有限公司。

（三）接收利害关系方的评论意见。

2012年11月21日，赫姆洛克半导体公司向调查机关提交了《关于〈对原产于美国的太阳能级多晶硅追溯征收反补贴税的申请〉的抗辩意见》，表示不存在追溯征税的法定前提条件。

2013年1月，REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司向调查机关提交了《关于：对原产于美国、韩国、欧盟的进口太阳能级多晶硅进行追溯征税调查的评论意见》，表示不存在追溯征税的法定前提条件（见商务部公开信息查阅室）。

2013年1月，无锡尚德太阳能电力有限公司作为太阳能级多晶硅下游用户向调查机关提交《关于不对原产于美国、韩国和欧盟进口多晶硅追溯征收反倾销及反补贴税的请求》，对追溯征税提出强烈反对，请求调查机关不对原产于美国的进口多晶硅追溯征收反补贴税。

2013年2月27日，申请人向调查机关提交了《太阳能级多晶硅反倾销、反补贴案——请求对被调查产品进口可能存在的规避追溯征税情况进行调查的申请》。

（四）调查结论。

根据海关统计的进口数据，自调查机关发起追溯征税调查起至2013年6月，美国月均对中国出口被调查产品的数量较调查期月均出口量下降了1.2%。

2013年中国国内市场表观需求量较之2012年增长预计超过10%。在中国国内市场需求上升的情况下，2013年美在中国市场份额逐步降低。

根据上述调查结果，本案中调查机关没有发现补贴进口产品在短期内大量进口的现象，不存在《反补贴条例》第四十五条有关追溯征税的法定条件，决定不对实施临时反补贴措施之日前90天内进口的产品追溯征收反补贴税。

六、补贴和补贴金额

根据申请人的申请，在应诉各方无异议情况下，调查机关以10年作为太阳能级多晶硅行业一次性补贴利益的调查和分摊期，即对补贴调查期内及之前9年中可能给企业带来利益的财政资助以及任何形式的收入或价格支持展开调查。

调查机关要求，应诉公司和其符合条件的关联公司均应回答问卷。美国赫姆洛克半导体公司及其关联公司、美国REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司及这两家公司的关联公司、美国MEMC帕萨迪纳有限公司、瓦克多晶硅北美有限公司及其关联公司美国瓦克化学公司提交了反补贴调查企业答卷。美国政府提交了反补贴调查政府答卷。在调查中，调查机关依据获得补贴利益的产品范围分摊补贴项目的利益。

调查机关审查了申请人的主张和证据材料、美国政府和各应诉公司的答卷，对各补贴项目作如下认定：

适用“先进能源制造业税金抵免”项目的配合调查公司为赫姆洛克半导体公司、REC太阳能级硅有限责任公司和MEMC帕萨迪纳有限公司。

适用“密执安州‘经济萧条地区’企业的动产税免除”、“密执安经济发展局-高技术企业税金抵免”、“密执安州‘工厂复兴区’和‘工业发展区’内企业的财产税免除”的配合调查公司为赫姆洛克半导体公司。

适用“华盛顿州太阳能制造企业适用较低的商业和职业税税率”的配合调查公司为REC太阳能级硅有限责任公司。

（一）先进能源制造业税金抵免。

申请人主张，2008年10月美国政府通过的《紧急经济稳定法案》为清洁能源产业提供182亿美元的税收抵免和激励措施。另外，《2009年美国经济复苏和再投资法》授权美国财政部为投资于“先进能源项目”的纳税人提供23亿美元的税金抵免，具体包括7类清洁能源产品，“用于生产太阳能、风能、地热能或其他可再生能源的产品”属于其中之一。多晶硅属于“用于生产太阳能、风能、地热能或其他可再生能源的产品”，因此多晶硅厂商只要投资建厂或更新设备，即可得到此项税收减免，具体数额相当于投资总额30%的税金抵免。

申请人同时主张，上述税金抵免，构成了《中华人民共和国反补贴条例》第三条下的财政资助，即“出口国（地区）政府放弃或者不收缴应收收入”；同时，美国联邦政府放弃本应收取的税收，使获得此项税收减免的多晶硅生产企业节省了同样金额的税金支出，构成了《反补贴条例》第三条下的“为接受者带来利益”；并且此项目具有《反补贴条例》第四条下规定的专向性，属于“由出口国（地区）法律、法规明确规定的某些企业、产业获得的补贴”。

1.财政资助的认定。

根据美国政府答卷，适格先进能源项目之税金抵免是根据2009美国经济复苏和再投资法案(ARRA)于2009年2月17日制定，作为国内税收法(IRC)的第48C节。第48C节之先进能源制造业税金抵免为普通商业抵免，该抵免不得超过基于纳税金额之限制额。通常而言，普通商业税金抵免不得超过净所得税减去以下数额较大者：纳税人之暂定最低纳税额，或者大于25,000美元的净固定税额的25%。当税金抵免超过任何年份内的税额限制额，则超出金额或未使用金额可被移前一年扣减和移后20年扣减。若纳税人处于亏损之状态，则其不得采用在其盈利之年的抵免。本税金抵免额相当于适格先进能源项目之适格投资额的30%。根据先进能源项目规定，对所有接受抵免者所允许的总税金抵免额不得超过23亿美元。对税金抵免的首次分配于2010年1月7日宣布。

税金抵免由隶属于美国财政部的美国国税局管理。美国国税局确定美国国内税收法第48C(d)节项下之适格先进能源项目。如果美国能源部(DOE)为项目提供了推荐和评级，则美国国税局仅考虑适格先进能源项目项下之项目。对于所资助的每一项目，纳税人要求呈交：（1）为获得美国能源部推荐的初步申请和最终申请，以及（2）第48C(d)(2)节项下证书的申请。美国能源部能量效率与可再生能源办公室负责提供项目推荐并对项目加以评级。美国国税局内部的大型业务和国际部门——自然资源和建设部负责对证书相关流程的监管。

根据美国赫姆洛克半导体公司答卷，该公司与美国国税局签订协议，获得了先进能源制造业税金抵免项目下一定金额的税收抵免，税收抵免是从该公司应付的税款中进行抵扣。

根据《反补贴条例》第三条（二）的规定，出口国（地区）政府放弃或者不收缴应收收入构成财政资助。在初裁中，调查机关经调查认定，美国国税局在该项目下放弃应该收缴的税金符合上述规定，构成了财政资助。

初裁后没有利害关系方对初裁中关于财政资助的认定发表评论。在初裁后的实地核查中，调查机关核查了美国赫姆洛克半导体公司的税务申报文件，申请及批复程序，以及美国政府关于此项税收减免的批复文件，调查机关决定在终裁中维持初裁的认定，即美国国税局在该项目下放弃应该收缴的税金符合《反补贴条例》第三条（二）的规定，构成了财政资助。

2.专向性的认定。

根据美国政府答卷，适格性先进能源项目抵免(IRC 48C)，为适格性先进能源项目提供30%适格性投资的投资税金抵免，该项目被界定为以下任一资产类型之生产而创建、拓展或重新配置生产设施的项目：

•旨在利用太阳能、风能、地热沉积物、或其它可再生资源而生产能源的资产；

•燃料电池、微型涡轮机或储能系统用于电力或混合电能机动车；

•用以支持可再生能源之断续资源传输的电网，包括该能源的储存；

•旨在获取及封存二氧化碳之资产；

•旨在精炼或混合可再生燃料或创造节能科技（包括节能照明科技和智能电网科技）之资产；

•新型适格插入式电力驱动机动车、适格的插入式电力机动车，或旨在为该等机动车之特定用处的部件，包括电动机、发电机，和动力控制单元；或

•由财政部长所确定的、旨在降低温室气体排放的其它先进能源资产。

根据《反补贴条例》第四条的规定，由出口国（地区）法律、法规明确规定的某些企业、产业获得的补贴，具有专向性。在初裁中，调查机关初步认定，该项目下的税收抵免通过立法的方式授予了美国国内的先进能源制造业，符合《反补贴条例》第四条规定，具有专向性。

初裁后没有利害关系方对专向性的认定发表评论。在初裁后的实地核查中，调查机关核查了美国政府关于该项目的法律文件，在实地核查过程中，美国政府再次确认对该项目的专向性没有异议，调查机关决定在终裁中维持初裁的认定，即美国政府通过立法的方式授予了美国国内的先进能源制造业在该项目下的税收抵免，符合《反补贴条例》第四条规定，具有专向性。

3.补贴利益的确定。

（1）赫姆洛克半导体公司。

根据美国政府答卷，先进能源制造业税金抵免于2010年1月7日被分配，被分配的纳税人列表中包括美国赫姆洛克半导体公司，该公司申请更新的理由是将扩建用于太阳能电池板的多晶硅工厂，申请一定金额的税收抵免。

     赫姆洛克半导体公司最终获得了一定数额的先进能源制造业税金抵免配额。根据赫姆洛克半导体公司的补充答卷，调查期内该公司使用了该项目下一定数额的税金抵免配额。

根据《反补贴条例》第六条（七）的规定，以放弃或者不收缴应收收入形式提供补贴的，补贴金额以依法应缴金额与实际缴纳金额之差计算。在初裁中，调查机关以赫姆洛克半导体公司实际使用的税金抵免配额，即应缴纳税金额与实际缴纳税金额之间的差额，作为该公司在先进能源制造业税金抵免项目下获得的利益金额。调查机关将该利益金额根据公司报告的调查期内太阳能级多晶硅销售收入总额进行分摊。

初裁后，美国政府评论认为，商务部在计算该项目的补贴利益时，将该项目的税收减免当作了持续性补贴利益，并被完全分配到了申请税收减免时期，这种做法不符合实际情况，IRC48C项目下的税收减免是根据符合条件的有形动产或固定资产投资来获得的，应该作为一次性补贴利益，分摊到相关产业的资产平均使用年限中去。赫姆洛克半导体公司在初裁后评论，IRC48C项目下的税金抵免应该进行分摊，而不是费用化。

调查机关在初裁后的实地核查中，对IRC48C项目的性质、使用情况进行了再次调查。《2009年美国经济复苏和再投资法》授权美国财政部为投资于“先进能源项目”的纳税人提供税金抵免，其中包括多晶硅等可再生能源；该项目申请的标准之一必须是为先进能源项目创建、拓展或重新配置的生产设施，即只有新购置或扩建资产才有资格申请该项目；其抵免的是普通的商业税金，申请抵免的金额与资产额相关。该项目由国会通过立法的方式一次性地授权政府发放，该项目在2010年1月7日发放完毕后，根据现有法律，已经没有新资金被分配至该税金抵免项目中。通过实地核查，调查机关认定，该财政资助项目尽管与税收相关，但企业并非根据日常经营或年度税收情况可以持续获得，而是根据政府的明确授权一次性发放，且与一定时期内合格的固定资产投资相关，在此基础之上，调查机关在终裁中重新认定该项目为一次性补贴，将获得的补贴额以资产的平均使用年限10年为基础进行分摊，计算得出公司该项目下从价补贴率为0.38%。

（2）REC先进硅材料有限责任公司和REC太阳能级硅有限责任公司。

REC先进硅材料有限责任公司在答卷中称，该公司从未参与任何先进能源制造业税金抵免项目的申请和审批程序。根据美国政府答卷提供的先进能源制造业税金抵免项目分配表，调查机关未发现REC先进硅材料有限责任公司获得美国国税局分配的先进能源制造业税金抵免。鉴此，调查机关在初裁时暂认为REC先进硅材料有限责任公司未使用先进能源制造业税金抵免项目。

REC太阳能级硅有限责任公司在答卷中称，该公司申请并获得了154,896,492美元的先进能源制造业税金抵免额度，且截止2012年6月30日该公司已实际获得一定数额的抵免额度，但公司并未在纳税申报表中使用该税金抵免额度，因此主张公司未在此项目下获得利益。经审查该公司提交的答卷和补充答卷，调查机关在初裁时暂认为，截止调查期期末该公司尚未使用已获得的先进能源制造业税金抵免额度。

根据《反补贴条例》第六条（七）的规定，以放弃或者不收缴应收收入形式提供补贴的，补贴金额以依法应缴金额与实际缴纳金额之差计算。由于REC硅有限公司（REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司的母公司，统一的纳税申报人）的应缴金额和实际缴纳金额之间不存在差额，因此调查机关在初裁时暂认定，截止调查期期末REC太阳能级硅有限责任公司未在先进能源制造业税金抵免项目下获得利益。

初裁后，调查机关未收到各利害关系方关于上述认定的评论意见。在实地核查中，调查机关核实了REC太阳能级硅有限责任公司关于先进能源制造业税金抵免项目的申请情况和账务处理情况、以及该公司2011年和2012年的纳税申报情况。

经实地核查和进一步审查，调查机关决定在终裁时维持初裁认定。

（3）MEMC帕萨迪纳有限公司。

MEMC帕萨迪纳有限公司在答卷中称，该公司没有被授予任何先进能源制造业税金抵免额度。根据美国政府答卷提供的先进能源制造业税金抵免项目分配表，调查机关未发现MEMC帕萨迪纳有限公司获得美国国税局分配的先进能源制造业税金抵免。鉴此，调查机关在初裁时暂认为MEMC帕萨迪纳有限公司未使用先进能源制造业税金抵免项目。

MEMC帕萨迪纳有限公司在答卷中称，该公司的关联公司Solaicx,Inc.申请并获得了先进能源制造业税金抵免额度，但因公司情况变化，目前已不满足实际获得税收抵免的条件，Solaicx,Inc.公司并未在纳税申报表中使用该税金抵免，没有实现也不会实际获得该项目下的税收利益。经审查该公司提交的答卷和补充答卷，调查机关在初裁时暂认定，截止调查期期末该公司尚未使用已获得的先进能源制造业税金抵免额度。

根据《反补贴条例》第六条（七）的规定，以放弃或者不收缴应收收入形式提供补贴的，补贴金额以依法应缴金额与实际缴纳金额之差计算。由于Solaicx,Inc.的应缴金额和实际缴纳金额之间不存在差额，因此调查机关在初裁时暂认定，截止调查期期末Solaicx,Inc未在先进能源制造业税金抵免项目下获得利益。

初裁后，调查机关未收到各利害关系方关于上述认定的评论意见。在实地核查中，调查机关核实了Solaicx,Inc.关于先进能源制造业税金抵免项目的申请情况和公司所属集团2011年和2012年的纳税申报情况。

经实地核查和进一步审查，调查机关决定在终裁时维持初裁认定。

（二）密执安州“经济萧条地区”企业的动产税免除。

申请人主张，根据密执安州1998年第328号法案，经过州认证的“经济萧条地区”内的符合条件的企业，可完全免缴其新增动产的财产税。

申请人认为，对“经济萧条地区”内符合条件的企业免征其新增动产的财产税，构成了《反补贴条例》第三条下的财政资助，即“出口国（地区）政府放弃或者不收缴应收收入”；同时，州和地方政府放弃本应收缴的动产税，使获得此项税收免除的企业节省了同样金额的税金支出，构成了《反补贴条例》第三条下的“为接受者带来利益”，利益数额等于企业获得的税收免除数额；并且此项目具有《反补贴条例》第四条下规定的专向性，属于“指定特定区域内的企业、产业获得的补贴”。

1.财政资助的认定。

根据美国政府答卷，《密执安州1974年第198号法案》出台了生产商税收优惠政策，鼓励对老厂房进行翻新和扩建，支持新厂区的建设，促进高科技厂区的设立。获得“工业厂区税收减免”证书后，工厂可按照价享受地产/或动产税收减免，减免的期限为1-12年，具体期限由当地政府部门确定。

根据美国赫姆洛克半导体公司的答卷，该项目允许经济萧条地区的符合条件的企业减少动产税，具体向当地的税务机构申请减免。在调查期，美国赫姆洛克半导体公司确认该项目下一定金额的税收节约额。

根据《反补贴条例》第三条（二）的规定，出口国（地区）政府放弃或者不收缴应收收入构成财政资助。在初裁中，调查机关认定，美国税务机构在该项目下放弃应该收缴的税金符合上述规定，构成了财政资助。初裁后没有利害关系方对此发表评论，调查机关决定维持初裁中的认定，即该项目构成了财政资助。

2.专向性的认定。

根据美国政府答卷，《密执安州1974年第198号法案》规定，适格的税收优惠政策申请企业必须在地理上位于创建的“工业发展区”或“工厂复兴区”。《密执安州1974年第198号法案》第4节界定了“工业发展区”或“工厂复兴区”的创建，包括（1）地方政府部门经其立法机构决议通过，可在1块或多块土地，或一块地块一部分土地上，修建工业复原区和工业发展区；（2）地方政府工业部门之立法机构可自动发起，亦可经拟建工业复原区或工业开发区内州均等价值的工业财产的所有人或75%的所有人提交书面申请，修建工厂复原区或工业开发区。

    根据美国赫姆洛克半导体公司的答卷，申请人必须在《密执安州1998年328号法案》第211.9f条规定的经济萧条地区设立一家符合条件的企业，才符合该项目的申请。要成为一个合格的“符合条件的企业”，申请人还必须主要从事制造、采矿、研发、批发和贸易、办公室运营或设备运营，而拥有或运营该设备的企业是符合条件的纳税人。

    美国赫姆洛克半导体公司在答卷主张该项目不具有专向性，但没有提供任何证据和法律支持。

在初裁中，调查机关认为，根据《反补贴条例》第四条（三）的规定，特定区域内的企业、产业获得的补贴，具有专向性。密执安州的“经济萧条地区”企业的动产税免除法案只适用于地理上位于“工业发展区”或“工厂复兴区”内的企业，这些企业主要是从事制造、采矿、研发、批发和贸易、办公室运营或设备运营的符合条件的纳税人。因此，并非位于密执安州内的所有企业都有资格申请这项税收优惠政策，该法案符合《反补贴条例》第四条（三）规定，具有专向性。

初裁后，赫姆洛克半导体公司发表评论，认为该项目不具有专向性，其中第一个理由是，PA328的授予机构是特定的县、镇或市，由其决定放弃应收的财产税，密执安州税收委员会批准可适用的财产税免除的事实并不表明授予机构是密执安州，财产税并不缴付给密执安州。

2013年10月17日，调查机关对密执安州经济发展局进行了实地核查了解到，PA328项目下的动产税属于州税，以及州及地方政府税收，由州层面的三个部门批准，分别是州战略基金部、州财政委员会、州财政局，同时地方政府也要批准。批准的程序是首先向地方政府部门提出申请，由地方政府部门提交给州财政局，然后由州财政局和上述三个部门进行协调和讨论。在核查中，调查机关还了解到，并非所有位于密执安州的企业均有资格获得这项财产免除，只有符合“工业发展区”和“工业复兴区”地址清单的企业，且要符合其它清单规定才有资格获得免税，具体要满足三个的条件，包括：经营类别的清单、企业在划定的区域、动产所在地的清单等。

通过以上核查，调查机关认定，PA328的授予机构是州层面的政府机构，而不是地方的县、镇或市，该动产税也属于州税；只有在“工业发展区”和“工业复兴区”内满足一定清单要求的企业才有资格获得税收减免。

赫姆洛克半导体公司在初裁评论中，认为该项目不具有专向性的第二个理由是，仅确定符合条件的财产不足以确定地域的专向性。调查机关在实地核查中了解到，并非所有密执安州内的县、镇或市都有资格列入“工业发展区”和“工业复兴区”的地址清单，只有少数被认定为按照一定家庭收入情况确定的经济萧条地区的县、镇或市才有资格列入清单，如萨吉诺镇，因此，这项法律规定已经明确了具体的地域，即位于一定条件下经济萧条地区的、被认定为“工业发展区”和“工业复兴区”内的资产才有资格获得PA328的税收抵免。

赫姆洛克半导体公司在初裁评论中还认为，“制造、采矿、研发、批发和贸易、办公室运营或设备运营”涵盖了广泛的经济活动，不属于《反补贴条例》第四条（三）规定的专向性。调查机关认为，PA328明确了具体涵盖的行业，并非涵盖整个经济领域，只有特定的行业才有可能收益。且在实地核查中，调查机关了解到，只有符合清单条件的几类产业可以获得免税，在实际运作中还存在拒绝申请的现象。

综上，调查机关认定，PA328项目是由密执安州政府批准的，只有位于该州内经济萧条地区的县、镇或市，特定的从事制造、采矿、研发、批发和贸易、办公室运营或设备运营的企业才有资格获得的一项税收减免补贴，符合《反补贴条例》第四条（三）规定，具有专向性。

3.补贴利益的确定。

根据美国赫姆洛克半导体公司的答卷，在调查期内，在该法案下确认产生的一定金额的税收节约。

根据《反补贴条例》第六条（七）的规定，以放弃或者不收缴应收收入形式提供补贴的，补贴金额以依法应缴金额与实际缴纳金额之差计算。在初裁中，调查机关暂以该公司在此法案下产生的税收节约额作为该公司在《密执安州1998年328号法案》项目下获得的利益金额。调查机关将该利益金额根据公司报告的调查期内太阳能级多晶硅销售收入总额进行分摊，计算得出公司该项目下从价补贴率为2.3%。

初裁后，美国政府发表评论认为，没有任何事实证明，PA328项目仅仅适用于Hemlock太阳能级多晶硅工厂的建设，并援引对原产于美国取向电工钢案以及汽车新出口商案，恳请商务部在终裁中将补贴利益分摊到公司总的销售额中。

赫姆洛克半导体公司在初裁评论中认为，该公司的设备同时制造电子级多晶硅和太阳能级多晶硅，没有任何证据表明该项目下的税金减免专门授予太阳能级多晶硅，恳请商务部适用总的销售额。

调查机关对此进行了实地核查，在2013年10月17日在密执安州经济发展局核实时了解到，在公司递交的申请材料中，只有对经营项目的描述及设备清单，并不明确具体生产哪种产品；2013年10月18日，在对Thomas镇实地核查时了解到，镇政府在受理并初步审批申请时，只关心设备清单，与产品无关；在10月21日对赫姆洛克半导体公司实地核查中，调查了会计记录、仓储管理记录等，了解到该设备既用于生产太阳能级多晶硅，也用于生产电子级多晶硅。因此，在终裁中，调查机关认定，由于该项目下的设备用于生产太阳能级多晶硅和电子级多晶硅两种产品，为准确反映被调查产品所获得的该项目下的补贴金额，调查机关决定在公司总销售额的基础上进行分摊，并在此基础上计算得出公司该项目下从价补贴率为1.44%。

（三）密执安经济发展局–高技术企业税金抵免。

申请人主张，依据密执安州法典第208.1431节第(1)(d)款，密执安州经济发展局负责执行高技术企业税金抵免项目。根据此政策，生化、医疗器械、环保和再生能源技术等“高技术”企业可以按照一定比例抵免密执安州营业税（Michigan Business Tax）。如果企业获得的抵免额度超过其当年应缴税额，州政府须将超出部分返还企业。

申请人认为，密执安州政府免收高技术企业的应缴税金，构成了《反补贴条例》第三条下的财政资助，即“出口国（地区）政府放弃或者不收缴应收收入”；同时，密执安州政府放弃本应收取的税收，使获得此项税金抵免的企业节省了同样金额的税金支出，构成了《反补贴条例》第三条下的“为接受者带来利益”，利益数额等于企业获得的税收抵免数额；并且此项目具有《反补贴条例》第四条下规定的专向性，属于“由出口国（地区）法律、法规明确规定的某些企业、产业获得的补贴”。

1.财政资助的认定。

根据美国政府答卷，《密歇根州法典第208.1431节》中的MCL208.1431，作为附录2-3,授权大量税金抵免，包括针对密歇根州营业税(MBT)所主张的高技术企业营业税金抵免。法规于2008年1月1日生效，并且在2011年12月31日之后不授予新的税金抵免。密歇根州营业税于2011年12月31日取消并被企业所得税所取代后，不再授予新的密执安经济发展局（MEGA）高技术企业税金抵免。只有那些之前已被授予税金抵免并在密歇根州营业税项下保持适格的企业才能继续使用税金抵免。但对于对MCL 208.1431(1)(d)没有做出其它修订。

根据美国政府答卷，密歇根州经济发展局(MEGA)通过密歇根州经济发展公司(MEDC)负责项目实施。密歇根州经济发展局(MEGA)是一个旨在对项目加以批准和监管的理事会。在调查期间密执安经济发展局（MEGA）高技术企业税金抵免证书被颁发给64家公司。被颁发的所有证书之总价值为$9,285,088，其中，赫姆洛克半导体公司是唯一一家在调查期间收到税金抵免证书的多晶硅生产商。

根据美国赫姆洛克半导体公司的答卷，根据HSC与MEGA之间三个协议和DCC与MEGA之间协议，调查期内在该项目授权下，该公司节约了一定金额的应缴税金。

根据《反补贴条例》第三条（二）的规定，出口国（地区）政府放弃或者不收缴应收收入构成财政资助。在初裁中，调查机关调查认定，美国税务机构（MEGA）在该项目下放弃应该收缴的税金符合上述规定，构成了财政资助。初裁后没有利害关系方对此发表评论，调查机关决定在终裁中维持初裁中的认定，即该项目构成了财政资助。

2.专向性的认定。

根据美国政府答卷，为满足密执安经济发展局（MEGA）高技术企业的要求，企业必须要符合“高技术”企业的定义，该定义涵括了法规中所确定的各种行业的企业:

(m)“高技术活动”系指以下1中或多种活动：

(i)高级计算，系指在以下任何领域之设计和开发中所使用的任何技术：

(A)计算机硬件和软件

(B)信息沟通

(C)信息技术

(D)电影和数字媒体生产

(ii)高级材料，系指通过特殊流程和合成技术的开发而创造的工程资产材料。

(iii)生物技术，系指利用生物体、细胞、大分子、微生物、或自生物体中取得的物质，以制作或变更产品、改良植物或动物，或为有用之目的而培育微生物。生物技术并不包括公共健康法1978 PA 368, MCL 333.16274第16274节所定义的人类克隆，或者对胚性组织进行干细胞研究的任何技术。

(iv)电子设施技术，包括任何涉及到微电子、半导体、电子设备，以及使用仪器、无线电频率、微波、毫米波电子，以及光学和光电子装置，或信息和数字通信、成像设备的任何技术。

(v)与产品开发相关的工程学或实验室测试。

(vi)辅助评估或预防威胁或损害人类健康或环境之技术，包括但不限于，环境清洁技术、预防污染技术、或对替代性能源资源进行开发的技术。

(vii)医疗设备技术，系指涉及医疗设备或产品的任何技术，具有治疗或诊断价值并受到管理的药学产品除外。

(viii)产品研究和开发

(ix)先进车辆技术，系指涉及电动汽车、混合动力汽车或替代性燃料汽车，或电动汽车、混合动力汽车或替代性燃料汽车的生产中所采用部件的任何技术。为本行为之目的：

(A)“电动汽车”系指仅靠车载电力能源获取推进力的道路车辆。

(B)“混合动力汽车”系指可依靠消耗燃料和可再充式能量储存系统获取推进力的道路车辆。

(x)工具 及模具生产

(xi)密歇根州战略基金会法案（1984 PA 270, MCL 125.2088a）的第88a节所定义的具有竞争力的前沿技术

(xii)数码媒体，包括互联网出版和广播、视频游戏、网站开发及娱乐技术。

(xiii)音乐生产，包括唱片生产和开发、录音棚、及集成式高科技唱片的生产和分配。

(xiv)电影和视频，包括电影和视频生产和分配，后期制作服务，以及生产服务。

除此之外，在保持基本就业岗位的同时，获取税金抵免的公司必须在获取税金抵免的第一年创造出5个新岗位，且截止第5年之前必须创造出25个工作岗位。

美国赫姆洛克半导体公司在答卷主张该项目不具有专向性，但没有提供任何证据和法律支持。

调查机关认为，根据《反补贴条例》第四条（二）的规定，由出口国（地区）法律、法规明确规定的某些企业、产业获得的补贴，具有专向性。调查期内，根据《密歇根州法典第208.1431节》中的MCL208.1431规定，只有在密歇根州符合“高技术”定义的企业才可以申请获得该项目下营业税税金的抵免，在初裁中，调查机关认定，该法案符合《反补贴条例》第四条（二）的规定，具有专项性。

美国政府在初裁后评论认为，密执安州经济发展局关于该项目是广泛用于该州的企业和行业中的，高科技活动包括了在众多行业中企业的广泛活动，因此，恳请商务部再在终裁中裁定该项目不具有专向性。

赫姆洛克半导体公司在初裁后的评论中认为，该项目涵盖了广泛和多样化的产业，并不具体。恳请商务部在终裁中认定不具有专向性。

调查机关认为，尽管《密歇根州法典第208.1431节》中的MCL208.1431规定涵盖了很多产业，但仍然集中在14个行业，并不适用于整个经济领域。调查机关在2013年10月17日核查密执安州政府时了解到，只有符合法律规定的高科技企业才可以申请该项目，一般的制造业以及零售业、商品加工、商业、仓储等则不能够申请高科技MEGA，因此，并非所有产业都可以申请此项目。在实际操作中，还存在因为有申请企业不符合条件而被拒绝的现象。

因此，在终裁中，调查机关认定该法案符合《反补贴条例》第四条（二）的规定，具有专项性。

3.补贴利益的确定。

根据美国赫姆洛克半导体公司的答卷，根据HSC与MEGA之间三个协议和DCC与MEGA之间协议，调查期内在该项目授权下，该公司确认产生一定数额的税收节约额。

根据《反补贴条例》第六条（七）的规定，以放弃或者不收缴应收收入形式提供补贴的，补贴金额以依法应缴金额与实际缴纳金额之差计算。在初裁中，调查机关暂以该公司在此法案下产生的税收节约额作为该公司在《密歇根州法典第208.1431节》项目下获得的利益金额。调查机关将该利益金额根据公司报告的调查期内多晶硅销售收入总额进行分摊，计算得出公司该项目下从价补贴率为0.15%。

初裁后，美国政府发表评论认为，没有任何事实证明，《密歇根州法典第208.1431节》项目仅仅适用于Hemlock太阳能级多晶硅工厂的建设，并援引对原产于美国取向电工钢案以及汽车新出口商案，恳请商务部在终裁中将补贴利益分摊到公司总的销售额中。

初裁后，赫姆洛克半导体公司在初裁评论中认为，1、申请费应当从利益总额中扣除；2、该项目下有些协议与多晶硅生产无任何关联，其他协议也仅仅与多晶硅相关，而不仅限于太阳能级多晶硅。恳请商务部在计算时用总公司DCC或者赫姆洛克半导体公司总销售额。

调查机关初裁后对此进行了调查，并在2013年10月17日对密执安州经济发展局进行了实地核查，以及在10月21日对赫姆洛克半导体公司进行了实地核查。调查机关通过调查了解到，赫姆洛克半导体公司在与MEGA签订的该项目下的259号协议、306号协议、365号协议、495号协议中明确，公司申请该项目的条件之一，是在萨吉诺县托马斯镇扩展多晶硅制造业务，并没有明确仅仅针对太阳能级多晶硅，即该项目与生产太阳能级多晶硅以及电子级多晶硅均相关。因此，在终裁中，为准确反映被调查产品所获得的该项目下的补贴金额，调查机关决定在申请该项目的赫姆洛克半导体公司总销售额的基础上进行分摊，计算得出公司该项目下从价补贴率为0.1%。

（四）密执安州“工厂复兴区”和“工业发展区”内企业的财产税免除。

申请人主张，根据密执安州1974年第198号法案，如果制造业企业在州内新建、扩建或翻建工厂，当地市、镇和乡村有权批准在其厂址所在地设立“工厂复兴区”和“工业发展区”。该区设立后，经过地方和州政府两级批准，企业可免缴其区内资产的全部动产和不动产税。

申请人认为，“工厂复兴区”和“工业发展区”所在地的地方政府机构免收区内企业应缴的财产税，构成了《反补贴条例》第三条下的财政资助，即“出口国（地区）政府放弃或者不收缴应收收入”；同时，地方政府放弃本应收缴的税收，使获得此项税收减免的企业节省了同样金额的税金支出，构成了《反补贴条例》第三条下的“为接受者带来利益”，利益数额等于企业获得的税收减免数额；并且此项目具有《反补贴条例》第四条下规定的专向性，属于“指定特定区域内的企业、产业获得的补贴”。

1.财政资助的认定。

根据美国政府的答卷，根据《工厂重建和工业开发区法案》（即“工业厂区税收减免”），以及《密歇根州1974年第198号法案》修订版出台了生产商税收优惠政策，鼓励对老厂房进行翻建和扩建，支持新厂区的建设，促进高科技厂区的设立。对于获得“工业厂区税收减免”证书的工厂可按价享受地产及/或动产税收减免，减免期限为1至12年，具体期限由当地政府部门确定。 

根据美国赫姆洛克半导体公司的答卷，该项目以税收减免的形式刺激符合条件的企业做出新投资。税收减免可能针对不动产或动产，因此，投资可能涉及设立新工厂、扩大现有工厂或购置新机器等。

税收优惠由投资所在地的市、镇、村的立法机构批准。在建造、改建、安装设备开始前，应向当地政府机构办事员提交设立该区的书面请求。

一旦工业发展区设立，公司可以申请长达12年的财产税（不动产和动产）减免。

根据《反补贴条例》第三条（二）的规定，出口国（地区）政府放弃或者不收缴应收收入构成财政资助。在初裁中，调查机关调查认定，密歇根州在该项目下放弃应该收缴的财产税符合上述规定，构成了财政资助。初裁后没有利害关系方对此发表评论，调查机关决定维持初裁中的认定，即该项目构成了财政资助。

2.专向性的认定。

根据美国政府的答卷，《工厂重建和工业开发区法案》（即“工业厂区税收减免”），以及《密歇根州1974年第198号法案》修订版出台了对生产商的税收优惠政策，鼓励对老厂房进行翻建和扩建，支持新厂区的建设，促进高科技厂区的设立。开展项目建设前，必须创建“工业发展区”或“工厂复兴区”。只有获得“工业厂区税收减免”证书后，工厂才可以按价享受地产及/或动产税收减免；同时，减免申请由当地政府部门归档、审查、批准；应由国家动产服务部和密歇根州经济发展总公司按国家级申请项目进行审批，减免证书最后由国家税收委员会(STC) 批准、颁发。

根据美国公司的答卷，有资格获得“工业厂区税收减免”证书的企业须满足以下条件：1） 必须设立“工业发展区”或“工厂复兴区”且该工厂必须位于给类区域内；2）动产必须为工业动产；3）减免证书的申请必须在动产完成安装后六个月或动产开始建设初期提交。

调查机关认为，根据《反补贴条例》第四条（二）的规定，由出口国（地区）法律、法规明确规定的某些企业、产业获得的补贴，具有专向性。调查期内，《工厂重建和工业开发区法案》（即“工业厂区税收减免”）和《密歇根州1974年第198号法案》规定，只有设立了“工业发展区”或“工厂复兴区”，且工厂位于此类区域内的工业动产才可以申请该项目下工业厂区的税收减免。在初裁中，调查机关认定，该法案符合《反补贴条例》第四条（二）的规定，具有专项性。

初裁后，美国赫姆洛克半导体公司评论认为，该项目不具有专项性，因为项目适用于参与任何工业活动的实体，广泛地定义包括高科技活动、应对战略中心的运营、赛车运动娱乐设施运营等。

调查机关在2013年10月17日密执安州经济发展局实地核查中了解到，法案对申请该项目有行业上的严格要求，针对的是生产和制造业，发电、蒸汽、燃气、农业、零售业等不能够申请该项目。因此，并非密执安州的整个经济领域都可以适用该项目，只有特定群体才可以受益。因此，在终裁中，调查机关认定，该法案符合《反补贴条例》第四条（二）的规定，具有专项性。

3.补贴利益的确定。

根据美国赫姆洛克半导体公司的答卷，调查期内在该项目下，该公司确认产生一定数额的税收节约额。

根据《反补贴条例》第六条（七）的规定，以放弃或者不收缴应收收入形式提供补贴的，补贴金额以依法应缴金额与实际缴纳金额之差计算。因此，调查机关暂以该公司在此法案下产生的税收节约额作为该公司在“工厂复兴区”和“工业发展区”内企业的财产税免除项目下获得的利益金额。调查机关将该利益金额根据公司报告的调查期内多晶硅销售收入总额进行分摊，计算得出公司该项目下从价补贴率为0.27%。

初裁后，美国政府发表评论认为，没有任何事实证明，“工厂复兴区”和“工业发展区”内企业的财产税免除（Industrial Facilities Exemption – P.A. 198）项目仅仅适用于Hemlock太阳能级多晶硅工厂的建设，并援引对原产于美国取向电工钢案以及汽车新出口商案，恳请商务部在终裁中将补贴利益分摊到公司总的销售额中。

初裁后，赫姆洛克半导体公司评论认为，没有证据表明在该项目下，公司与密执安州之间的任何协议规定的税收节约额专门用于太阳能级多晶硅。

调查机关对此进行了实地核查，在2013年10月17日在密执安州经济发展局核实时了解到，该项目和“经济萧条地区”企业的动产税免除（Personal Property Tax Exemption in Distressed Communities – P.A. 328）项目一样，都建立在“工厂复兴区”和“工业发展区”内，在公司递交的申请材料中，只有对经营项目的描述及设备清单，并不明确具体生产哪种产品；2013年10月18日，在对Thomas镇实地核查时了解到，镇政府在受理并初步审批申请时，只关心设备清单，与产品无关；在10月21日对赫姆洛克半导体公司实地核查中，调查了会计记录、仓储管理记录等，了解到适用于该项目下的设备既用于生产太阳能级多晶硅，也用于生产电子级多晶硅。因此，在终裁中，调查机关认定，由于该项目下的设备用于生产太阳能级多晶硅和电子级多晶硅两种产品，为准确反映被调查产品所获得的该项目下的补贴金额，调查机关决定在公司总销售额的基础上进行分摊，计算得出公司该项目下从价补贴率为0.18%。

（五）华盛顿州太阳能制造企业适用较低的商业和职业税税率。

申请人主张，依据华盛顿州法典第82.04.294节，光伏太阳能系统、太阳能级多晶硅和硅片、太阳能电池板等产品的制造企业适用0.275%优惠税率，而非0.484%的标准税率。

申请人认为，华盛顿州政府对太阳能制造企业适用优惠税率，构成了《反补贴条例》第三条下的财政资助，即“出口国（地区）政府放弃或者不收缴应收收入”；同时，华盛顿州政府放弃本应收缴的税收，使获得此项税收优惠的企业节省了税金支出，构成了《反补贴条例》第三条下的“为接受者带来利益”，利益数额等于企业在标准税率下应缴税款和实缴税款之间的差额；并且此项目具有《反补贴条例》第四条下规定的专向性，属于“由出口国（地区）法律、法规明确规定的某些企业、产业获得的补贴”。

1.财政资助的认定。

根据美国政府答卷，华盛顿州法典第82.04.294节规定了在华盛顿州从事光伏组件太阳能系统及该系统下多晶硅组件生产或批发业务的纳税人所适用的商业和职业税税率，该税率自2005年7月1日起生效，将于2014年6月30日到期。2007年7月16日，修订后的法典将第82.04.294节所指的硅产品的生产进行明确，即专指那些用于光伏组件太阳能系统的太阳能级多晶硅的生产。2009年7月1日，该法典再次进行修订，将第82.04.294节所规定的税率从0.2904%调整为0.275%，并且将其适用的业务范围扩大到作为光伏组件太阳能系统组成部分的太阳能多晶硅片、太阳能电池板、太阳能薄膜装置以及合成半导体太阳能硅片的生产和批发。

根据美国政府答卷，“对于没有特定适用税率规定的生产和批售经营活动，一般按0.484%的税率征收（华盛顿州商业和职业税）”，“（华盛顿州法典第82.04.294节）提供了一个降低后适用于太阳能系统和太阳能级多晶硅生产的商业和职业税税率”。

根据REC太阳能级硅有限责任公司的答卷，该公司属于仅用于使用光伏模块的太阳能系统组件的太阳能级硅的制造商，符合适用0.275%商业和职业税优惠税率的条件，并最终按照0.275%的税率实际缴纳华盛顿州商业和职业税。

根据《反补贴条例》第三条（二）的规定，出口国（地区）政府放弃或者不收缴应收收入构成财政资助。调查机关在初裁时暂认定，美国税务机构一般按照0.484%的税率征收华盛顿州商业和职业税，但在本项目下对符合条件的太阳能级多晶硅生产企业减按0.275%的税率征收华盛顿州商业和职业税，符合上述关于“出口国（地区）政府放弃或者不收缴应收收入”的规定，构成了财政资助。

初裁后，调查机关未收到各利害关系方关于上述认定的评论意见。经进一步审查，调查机关决定在终裁时维持初裁认定。

2.专向性的认定。

根据美国政府答卷，华盛顿州商业和职业税税率一般是0.484%，华盛顿州法典第82.04.294节明确规定了在该州从事特定业务的太阳能系统制造商或批发商在缴纳商业和职业税时适用0.275%的税率，其中包括太阳能级多晶硅的生产和批发业务。

美国政府和REC太阳能级硅有限责任公司在答卷中均分别提到，除利用光伏模块的太阳能系统企业外，其他行业，如国际投资管理、旅行社等也适用0.275%的商业和职业税税率。

经审查，调查机关发现，（1）华盛顿州商业和职业税税率一般为0.484%，但只有包括太阳能级多晶硅生产企业在内的华盛顿州个别行业适用0.275%的优惠税率，而非所有行业普遍适用该优惠税率；（2）美国政府答卷显示，2006年至2011年，每年仅有3-5家企业实际申报该税收优惠项目；（3）华盛顿州法典第82.04.294节在解释本节立法意图时称，“对关键增长型行业进行税收激励是改善华盛顿州商业环境的重要战略”。可见，采用税收激励方式来鼓励“关键增长型行业”发展是华盛顿州为改善其商业环境的一项重要战略。

综上，调查机关在初裁时暂认为，华盛顿州法典第82.04.294节明确规定了太阳能级多晶硅生产和批发企业适用0.275%的商业和职业税优惠税率，符合《反补贴条例》第四条（二）的规定，具有专向性。

初裁后，调查机关未收到各利害关系方关于上述认定的评论意见。经进一步审查，调查机关决定在终裁时维持初裁认定。

3.补贴利益的确定。

根据华盛顿州法典第82.04.294节（5）的规定，适用本节税率的纳税人必须提交华盛顿州法典82.32.534节下一份完整的年度报告。REC太阳能级硅有限责任公司的答卷和补充答卷显示，根据华盛顿州法典第82.04.294节适用较低商业和职业税税率的纳税人，必须于每年4月30日前向华盛顿州税务局递交年度报告，否则税务局将会要求该纳税人缴纳已申请的有关税收减免额。美国政府在答卷中表示，华盛顿州收益管理部审查纳税人提交的年度退税表，且可能对其进行审计核实，但答卷未能提供调查期内已申请、有权获得或实际获得该项目利益的公司名单及实际获得的利益额。

REC太阳能级硅有限责任公司在答卷中提供了调查期内按月提交的华盛顿州商业和职业税纳税申报表，并且主张公司在该项目下获得的税收待遇体现为按0.275%的优惠税率实际缴纳的税额与如按0.484%的一般税率缴纳税额之间的差额。

根据《反补贴条例》第六条（七）的规定，以放弃或者不收缴应收收入形式提供补贴的，补贴金额以依法应缴金额与实际缴纳金额之差计算。初裁时，调查机关暂以REC太阳能级硅有限责任公司提交的调查期内该公司商业和职业税节省金额作为该公司在此项目下获得的利益金额。调查机关将该利益金额根据公司报告的调查期内销售收入总额进行分摊，计算得出公司该项目下从价补贴率为0.22%。

初裁后，调查机关未收到各利害关系方关于上述认定的评论意见。经进一步审查，调查机关决定在终裁时维持初裁认定。

未配合调查公司

2012 年7月20 日，调查机关对原产于美国的进口太阳能级多晶硅发起反补贴调查立案当日，调查机关通知了申请书上列明的出口商或生产商，通知了美国驻华使馆，同日，调查机关将立案公告登载在商务部网站上，任何利害关系方均可在商务部网站上查阅本案立案公告。立案后，调查机关给予各利害关系方20 天的登记应诉期，给予所有利害关系方合理的时间获知立案有关情况。

立案后，调查机关向申请书中列明的出口商和生产商发放了调查问卷，并将调查问卷登载在商务部网站上，任何利害关系方可在商务部网站上查阅并下载本案调查问卷。

调查机关尽最大能力通知了所有已知的利害关系方，也尽最大能力向所有已知利害关系方提醒不配合调查的结果。对于申请书中列明的、调查机关已尽通知义务但没有提供必要信息配合调查的AE Polysilicon Corporation公司，初裁时，调查机关根据《反补贴条例》的规定，在可获得事实的基础上裁定该公司的从价补贴率。调查机关采纳了美国赫姆洛克半导体公司的证据材料作为可获得的事实，认定上述未配合调查公司的从价补贴率。

初裁后，调查机关未收到各利害关系方关于上述认定的评论意见。经进一步审查，调查机关决定在终裁时维持初裁认定。

其他公司

对其他美国公司，初裁时，调查机关依据赫姆洛克半导体公司的证据材料确定相应的从价补贴率。Hoku Corporation和瓦克多晶硅北美有限公司在本案补贴调查期内未向中国出口被调查产品。

初裁后，瓦克多晶硅北美有限公司及其关联公司美国瓦克化学公司提交对初步裁定的评论意见，主张虽然公司在调查期内未向中国出口被调查产品，但公司充分配合调查机关填写反补贴答卷，故应被视为“充分合作企业”，从而获得单独的反补贴税税率，而非适用“其他美国公司”的从价补贴率。

经审查，根据《反补贴条例》第四十二条的规定，“反补贴税应当根据不同出口经营者的补贴金额，分别确定”。由于瓦克多晶硅北美有限公司及其关联公司在调查期内未向中国出口被调查产品，所以在该期间还不是本案所指的被调查产品的出口经营者，调查机关也就无法为其确定单独的反补贴税税率。

综上，各公司从价补贴率分别为：

1.配合调查公司。

赫姆洛克半导体公司                         2.1%

（Hemlock Semiconductor Corporation）

REC太阳能级硅有限责任公司                  0.2%

（REC Solar Grade Silicon LLC）

REC先进硅材料有限责任公司                   0%

（REC Advanced Silicon Materials LLC）

    MEMC帕萨迪纳有限公司                        0%

（MEMC Pasadena,Inc.）

    2.未配合调查公司。

AE Polysilicon Corporation                 2.1%

3.其他美国公司。                           2.1%

（All Others）                                   

对于其他项目，调查机关做出如下裁定：

应诉公司均未使用的项目

密执安州光伏制造业税金抵免

密执安州高技术“锚企业”因吸引其他企业投资而获得的税收抵免

密执安州可替代能源企业的州营业税抵免

密执安州“可再生能源复兴区”内企业的税收免除

密执安州可替代能源动产税免除

密执安州运输部–运输经济发展基金A类拨款

华盛顿州高科技企业基于研发费用的商业和职业税抵免

本案中不做认定的项目

田纳西州–为Hemlock的多晶硅生产厂区修建基础设施

田纳西州–为Hemlock的员工培训提供拨款

田纳西州–蒙特高梅县低于对价向Hemlock提供土地

爱达荷州–波卡特洛市向Hoku公司无偿提供土地使用权

七、产业损害及损害程度

（一）补贴进口产品进口量及所占国内市场份额。

1.补贴进口产品进口量。

调查期内，REC先进硅材料有限责任公司、REC太阳能级硅有限责任公司、MEMC帕萨迪纳有限公司的补贴金额不足产品价值的1%，属于微量补贴。调查机关无法直接从中国海关统计数据中获得上述三家公司的进口数据，因而根据三家公司填写的《国外<地区>生产者/出口商调查问卷答卷》，获得上述三家公司的进口数量和价格信息，并进行了排除。排除上述三家公司进口太阳能级多晶硅后，来自美国的进口太阳能级多晶硅数量占中国国内总进口量的比例仍超过3%，不属于可忽略不计的范围。

调查期内，排除上述三家企业后，来自美国的补贴进口产品进口量呈上升趋势，2008年为3644.30吨；2009年为3815.82吨，比2008年上升4.71%；2010年为10356.95吨，比2009年上升171.42%；2011年为6369.47吨，比2010年下降38.50%。2011年1-6月为3799.67吨，2012年1-6月为7021.03吨，比2011年1-6月上升84.78%。

2.补贴进口产品所占国内市场份额。

调查显示，补贴进口产品占国内市场份额2008年为22.03%；2009年为9.20%，比2008年下降12.83个百分点；2010年为11.47%，比2009年上升2.27个百分点；2011年为4.36%，比2010年下降7.11个百分点；2011年1-6月为5.34%，2012年1-6月为9.18%，2012年1-6月比2011年1-6月上升3.84个百分点。

REC先进硅材料有限责任公司和REC太阳能级硅有限责任公司提出[6]：来自美国的进口被调查产品并未发生进口数量的大幅增加，因此不存在由于进口数量增加造成中国国内产业实质损害的事实。

对此，调查机关认为，《反补贴条例》第八条规定，调查机关对补贴进口产品数量的审查，包括补贴进口产品的绝对数量是否大量增加，或相对于国内同类产品生产或消费数量是否大量增加。本案中，调查机关已对补贴进口产品绝对数量和相对数量是否增长进行了考查，补贴进口产品进口绝对数量大幅增长是客观的事实。

（二）补贴进口产品价格和国内产业同类产品价格。

1.补贴进口产品价格。

在中国海关统计数据的基础上，调查机关考虑了汇率和关税税率，计算出了调整后的补贴进口产品价格（人民币价格）：2008年为129.17万元/吨；2009年为51.44万元/吨，比2008年下降60.18%；2010年为46.73万元/吨，比2009年下降9.16%；2011年为71.64万元/吨，比2010年上升53.31%；2011年1-6月为76.32万元/吨，2012年1-6月为20.86万元/吨，同比下降72.67%。

2.国内产业同类产品价格。

调查机关在对《国内生产者调查问卷答卷》汇总的基础上，计算出国内产业同类产品价格。调查期内，国内同类产品价格2008年为192.34万元/吨；2009年为47.67万元/吨，比2008年下降75.22%；2010年为43.74万元/吨，比2009年下降8.24%；2011年为32.03万元/吨，比2010年下降26.77%；2011年1-6月为40.99万元/吨，2012年1-6月为14.56万元/吨，同比下降64.48%。

（三）补贴进口产品对国内产业同类产品价格的影响。

调查机关对补贴进口产品价格和国内产业同类产品价格的变化趋势进行了比较，二者均呈下降趋势。

调查期内，补贴进口产品进口量呈上升趋势，2009年比2008年上升4.71%；2010年比2009年上升171.42%；2011年比2010年下降38.50%，2012年1-6月比2011年1-6月上升84.78%。调查期内，补贴进口产品数量占有的国内市场份额始终在4.36%-22.03%之间。

调查机关认为，调查期内，补贴进口产品进口数量持续上升，且占有一定的国内市场份额，其价格变化对国内产业同类产品的销售价格等指标具有影响。调查机关在计算补贴进口产品价格时，已经考虑了汇率和关税税率。国内产业同类产品价格与补贴进口产品价格均不包含增值税、内陆运输费用、保险费、次级销售渠道费用。

调查期内，补贴进口产品价格呈快速下降趋势，2009年比2008年下降60.18%，补贴进口产品数量上升，2009年比2008年增长4.71%，在补贴进口产品价格和数量的双重压力下，国内产业同类产品销售价格下降至47.67万元/吨，下降幅度达75.22%。2010年，补贴进口产品价格继续下降，下降幅度为9.16%，补贴进口产品数量继续上升，上升幅度为171.42%，在补贴进口产品持续降价、数量持续上升的压力下，国内产业被迫继续降低价格至43.74万元/吨，下降幅度为8.24%。2011年，国内产业同类产品价格则进一步下降，幅度为26.77%。2012年1-6月，补贴进口产品价格进一步大幅下降，幅度达72.67%，进口量同比增长84.78%，市场份额增加3.84个百分点，对国内产业同类产品产生了明显影响，2012年1-6月份，国内产业同类产品价格大幅下降至14.56万元/吨，同比下降64.48%。调查机关收集到的申请人经营分析会纪要等证据显示，申请人在对国内产业同类产品定价时，受到了补贴进口产品价格下降的影响。此外，调查期内，国内产业同类产品销售价格下降幅度和下降的绝对数也大于单位销售成本下降幅度和下降的绝对数。调查机关认定，调查期内，国内产业同类产品受到了价格压低影响。

综合考虑上述因素，调查机关认定，调查期内，补贴进口产品对国内产业同类产品价格产生了压低作用。

（四）国内产业相关经济因素和指标的评估。

根据《反补贴条例》第八条和《反补贴产业损害调查规定》第五条、第七条的规定，调查机关审查了补贴进口产品对国内产业的相关经济因素和指标的影响。

1.表观消费量。

调查期内，国内太阳能级多晶硅表观消费量2008年为16543.79吨；2009年为41489.36吨，2009年比2008年增长150.79%；2010年为90304.54吨，2010年比2009年增长117.66%；2011年为146130.62吨，比2010年增长61.82%；2011年1-6月为71123.28吨，2012年1-6月为76480.80吨，比2011年1-6月增长7.53%。

2.产能。

调查期内，国内产业同类产品产能2008年为3545.00吨；2009年为15023.00吨，2009年比2008年增长323.78%；2010年为35771.00吨，2010年比2009年增长138.11%；2011年为92025.00吨，比2010年增长157.26%；2011年1-6月为24750.00吨，2012年1-6月为47250.00吨，比2011年1-6月增长90.91%。

3.产量。

调查期内，国内产业同类产品产量2008年为2963.55吨；2009年为11169.73吨，2009年比2008年增长276.90%；2010年为29701.43吨，2010年比2009年增长165.91%；2011年为51200.9吨，比2010年增长72.39%；2011年1-6月为22655.20吨，2012年1-6月为28483.61吨，比2011年1-6月增长25.73%。

4.销售量。

调查期内，国内产业同类产品国内销售量2008年为2502.36吨；2009年为9271.46吨，2009年比2008年增长270.51%；2010年为30197.45吨，2010年比2009年增长225.70%；2011年为46482.03吨，比2010年增长53.93%；2011年1-6月为22253.81吨，2012年1-6月为32268.76吨，比2011年1-6月增长45.00%。

5.市场份额。

调查期内，国内产业同类产品市场份额2008年为15.13%；2009年为22.35%，比2008年增加7.22个百分点；2010年为33.44%，比2009年增加11.09个百分点；2011年为31.81%，比2010年减少1.63个百分点；2011年1-6月为31.29%，2012年1-6月为42.19%，比2011年1-6月增加10.9个百分点。

6.销售价格。

调查期内，国内产业同类产品国内销售价格2008年为192.34万元/吨；2009年为47.67万元/吨，比2008年下降75.22%；2010年为43.74万元/吨，比2009年下降8.24%；2011年为32.03万元/吨，比2010年下降26.77%；2011年1-6月为40.99万元/吨，2012年1-6月为14.56万元/吨，同比下降64.48%。

7.销售收入。

调查期内，国内产业同类产品国内销售收入2008年为481302万元；2009年为442011万元，比2008年下降8.16%；2010年为1320901万元，比2009年增长198.84%；2011年为1489004万元，比2010年增长12.73%；2011年1-6月为912196万元，2012年1-6月为469777万元，比2011年1-6月下降48.50%。

8.税前利润。

调查期内，国内产业同类产品税前利润2008年为319709万元；2009年为98214万元，比2008年下降69.28%；2010年为401193万元，比2009年增长308.49%；2011年为557696万元，比2010年增长39.01%；2011年1-6月为449706万元，2012年1-6月亏损65817万元。

9.投资收益率。

调查期内，国内产业同类产品投资收益率2008年为35.94%；2009年为6.52%，比2008年减少29.42个百分点；2010年为13.36%，比2009年增加6.84个百分点；2011年为14.70%，比2010年增加1.34个百分点；2011年1-6月为12.55%，2012年1-6月为-1.49%。

10.开工率。

调查期内，国内产业同类产品开工率2008年为83.61%；2009年为74.35%，比2008年减少9.26个百分点；2010年为83.03%，比2009年增加8.68个百分点；2011年为55.64%，比2010年减少27.39个百分点；2011年1-6月为91.54%，2012年1-6月为60.28%，比2011年1-6月减少31.26个百分点。

11.就业人数。

调查期内，国内产业同类产品就业人数2008年为2746人；2009年为3406人，比2008年增加24.03%；2010年为6006人，比2009年增加76.34%；2011年为7931人，比2010年增加32.05%；2011年1-6月为7448人，2012年1-6月为7419人，比2011年1-6月减少0.39%。

12.劳动生产率。

调查期内，国内产业同类产品劳动生产率2008年为1.08吨/人；2009年为3.28吨/人，比2008年增长203.87%；2010年为4.95吨/人，比2009年增长50.80%；2011年为6.46吨/人，比2010年增长30.54%；2011年1-6月为3.04吨/人，2012年1-6月为3.84吨/人，比2011年1-6月增长26.22%。

13.人均工资。

调查期内，国内产业同类产品年人均工资2008年为66501元；2009年为63739元，比2008年下降4.15%；2010年为67492元，比2009年增长5.89%；2011年为69551元，比2010年增长3.05%；2011年1-6月为29792元，2012年1-6月为27235元，比2011年1-6月下降8.58%。

14.期末库存。

调查期内，国内产业同类产品期末库存2008年为146吨；2009年为842吨，2009年比2008年增长476.71%；2010年为169吨，2010年比2009年减少79.93%；2011年为4391吨，比2010年增长2498.22%；2011年1-6月为315吨，2012年1-6月为3939吨，比2011年1-6月增长1150.48%。

15.经营活动现金净流量。

调查期内，国内产业同类产品经营活动现金流量净额2008年为481715万元；2009年为19958万元，比2008年下降95.86%；2010年为498682万元，比2009年增长2398.66%；2011年为311271万元，比2010年减少37.58%；2011年1-6月为238878万元，2012年1-6月为净流出67624万元。

16.投融资能力。

调查期内，由于国内产业同类产品盈利能力持续下降，经营状况恶化，企业投融资能力出现下降，国内产业产能扩展计划被搁置。申请人向调查机关提供的项目搁置通知和银行来函显示，调查期内，银行终止了向申请人投资计划授信，国内产业投融资能力受到一定影响。

综上分析并根据现有调查证据，调查期内，国内市场太阳能级多晶硅表观消费量呈持续快速增长趋势，在市场需求增长的推动下，国内产业同类产品的产能不断扩大，产量、销售量、市场份额、劳动生产率、就业人数均呈总体增长趋势，人均工资呈平稳趋势，国内产业同类产品单位销售成本呈下降趋势。在此情况下，国内产业的盈利能力本应有所增长。但是，调查期内国内产业同类产品的销售价格持续大幅下降，同时国内产业同类产品的单位毛利润和毛利率也呈总体下降趋势，国内产业的盈利能力有所下降。

受盈利能力下降影响，国内产业同类产品在产量和销售量都持续增长的情况下，经营活动现金净流量不仅没有出现相应的增长趋势，反而自2011年起呈下降趋势，调查期内，期末库存总体呈增长趋势，国内产业同类产品税前利润和投资收益率总体呈下降趋势，部分企业投融资能力受到影响。2012年1-6月，国内产业同类产品单位毛利润、毛利率、税前利润和投资收益率降至调查期内的最低水平，国内产业同类产品税前利润和投资收益率降至负值，国内产业的财务和经营状态严重恶化，陷入亏损状态。

综上，调查机关认定，国内产业受到了实质损害。

八、因果关系

（一）受美国政府补贴支持的进口产品造成了国内产业实质损害。

调查显示，调查期内，美国政府通过一系列的补贴政策使其太阳能级多晶硅产品在价格上更具优势，以占据中国国内市场。

中国海关统计数据显示，调查期内，受到美国政府补贴支持的进口产品进口量呈快速上升趋势，补贴进口产品进口量呈上升趋势，2009年比2008年上升4.71%；2010年比2009年上升171.42%；2011年比2010年下降38.50%，2012年1-6月比2011年1-6月上升84.78%。

调查期内补贴进口产品占国内市场份额2008年为22.03%；2009年为9.20%，比2008年下降12.83个百分点；2010年为11.47%，比2009年上升2.27个百分点；2011年为4.36%，比2010年下降7.11个百分点；2011年1-6月为5.34%，2012年1-6月为9.18%，2012年1-6月比2011年1-6月上升3.84个百分点。

调查期内，补贴进口产品数量持续增长，占有一定的国内市场份额，补贴进口产品价格呈总体下降趋势，对国内产业同类产品价格产生了压低作用。在此影响下，国内产业同类产品价格呈大幅下降趋势，期末比期初下降了 92.43%。因此，国内产业同类产品在市场需求快速增长，产能、产量和销售量也相应增长的情况下，销售收入反而呈先上升后下降的不稳定趋势，期末库存呈增长趋势，经营活动现金净流量呈恶化趋势。

调查期内，国内产业同类产品劳动生产率提高，单位销售成本下降。由于国内产业同类产品价格受补贴进口产品影响急剧下跌，其盈利能力有所下降，国内产业同类产品单位毛利润和投资收益率急剧下降。2012年1-6月，国内产业同类产品单位毛利润、毛利率、税前利润和投资收益率降至调查期内的最低水平，国内产业同类产品税前利润和投资收益率降至负值，国内产业陷入亏损状态。

赫姆洛克半导体公司提出[7]：调查期内，国内产业的产能、产量、销售数量、就业、销售收入和市场份额都大幅度增长，因此，补贴进口产品没有损害国内产业。REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司也提出了类似主张。[8]

对此，调查机关认为，在评估国内产业的损害时，调查机关不是仅依据特定的经济指标，而是要全面、综合考虑国内产业的特定市场状况和各损害指标间的整体联系。调查期内，在国内市场需求不断增长的情况下，国内产业同类产品的产量、销售量、市场份额、劳动生产率、就业人数总体呈增长趋势，国内产业同类产品单位销售成本呈下降趋势。在此情况下，国内产业的盈利能力本应有所增长。但是，调查期内国内产业同类产品的销售价格持续大幅下降，使得国内产业同类产品的单位毛利润和毛利率也总体呈下降趋势，国内产业的盈利能力有所下降，期末库存呈增长趋势，税前利润和投资收益率呈总体下降趋势，到2012年1-6月，国内产业同类产品单位毛利润、毛利率、税前利润和投资收益率都降至调查期内的最低水平，税前利润和投资收益率降至负值，国内产业陷入亏损状态。调查机关据此认定，国内产业遭受了实质性的损害。

赫姆洛克半导体公司提出[9]，国内进口商进口多晶硅时同出口商签订了长期供货协议，维持了较高的价格并拒绝降价，因此，补贴进口产品对国内产业同类产品并未造成不利的价格影响。

调查机关注意到了上述主张，并进行了调查，调查机关要求有关利害关系方提供相关信息，但并未有利害关系方提供有关长期供货协议价格、数量的证据，调查机关无法证实长期供货协议是否存在的事实。即使长期供货协议存在，如前所述，长期供货协议产品同样占据了国内市场份额，应将其包含在补贴进口产品之内，因此，调查机关认定，有关长期供货协议的主张并不能否定补贴进口产品对国内产业同类产品造成的价格影响。

赫姆洛克半导体公司提出[10]：国内大型生产商生产的绝大部分多晶硅产品均被其自身内部消耗，仅有极少部分多晶硅产品被投放到外部市场销售，因此，被调查产品与国内纵向一体化生产商生产的多晶硅产品不构成竞争关系。REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司也提出了类似的主张。[11]

对此，调查机关进行了调查，调查显示，调查期内国内产业同类产品自用量占产量的比重从未超过2%，初裁前实地核查中收集到的国内产业的客户名单、销售合同和《国内进口商调查问卷答卷》中提供的客户名单也显示，国内产业向下游企业销售了大量同类产品，部分下游企业同时购买国内产业同类产品和进口被调查产品。因此，调查机关认定，上述利害关系方主张的国内产业生产的绝大部分多晶硅产品均用作自用观点不符合实际情况。

在初裁后，调查机关进行了进一步调查，调查显示，本案部分申请人在进行非关联交易的同时，同其关联公司之间也存在关联交易，调查期内，非关联交易始终占有国内产业同类产品销售量相当的比例。因此，有关利害关系方主张的仅有极少部分多晶硅产品被投放到外部市场销售，不符合事实。

调查还显示，国内产业除向关联公司销售多晶硅外，也在公开市场上销售多晶硅，其用途同关联交易一致，均用作生产硅片。销售合同显示，关联交易的销售价格由市场化机制主导，同公开市场销售价格基本相同。关联公司对多晶硅采购拥有完全的自主权，除向国内产业外，也向其他企业大量购买多晶硅。因此，关联交易产品与补贴进口产品之间无竞争、应被排除在市场之外的观点不符合事实。

综上事实和证据，调查机关认定，原产于美国的补贴进口产品已经造成了国内产业的实质损害。

（二）其他已知因素分析。

调查机关对可能使国内产业受到损害的其他已知因素进行了调查。

1.国内市场需求情况和消费模式变化因素。

调查期内，国内表观消费量总体呈快速增长趋势，市场需求旺盛，国内没有出现由于其他替代产品的出现导致国内产业市场萎缩的事实。因此，不存在国内同类产品需求和消费模式变化对国内产业造成损害的情况。

2.国内产业经营管理情况。

调查显示，国内产业管理状况良好，生产、安全、环保、成本控制和内控等制度十分完善，还通过了ISO9001质量体系认证和ISO14001环境管理体系认证。因此，国内产业受到的实质损害并非由经营管理不善等因素造成。

3.国内产业技术进步情况。

调查显示，国内产业近年通过技术研发和改进，不断改进生产技术，其生产工艺获得了多项发明和实用新型专利，属于主流生产工艺，与国际先进水平不存在实质差距。多家第三方科研机构和下游企业出具的技术评审材料和认证也表明，国内产业同类产品的产品质量优良、品质稳定，符合国家标准和客户要求。因此，国内产业受到的实质损害并非由生产工艺和技术落后等因素造成。

4.商业流通渠道和贸易政策变化。

调查期内，国内产业同类产品实行市场化的定价机制，生产经营受市场规律调节。国内产业同类产品的销售渠道、销售区域基本与补贴进口产品相同，国内没有颁布限制太阳能级多晶硅产业贸易行为的相关政策。在商业流通领域并不存在其他阻碍国内产业同类产品销售或造成国内产业损害的因素。因此，国内产业受到的实质损害并非由商业流通渠道和贸易政策等因素造成。

5.国内同类产品出口情况。

调查期内，申请人生产的同类产品没有出口。因此，国内产业受到的实质损害并非国内产业同类产品出口造成。

6.不可抗力的影响。

调查期内，国内产业生产装置运行正常，未发生安全生产事故，未受到自然灾害及其他不可抗力事件影响。因此，国内产业受到的实质损害并非由不可抗力因素造成。

7.国内产业产能扩大的影响。

赫姆洛克半导体公司提出[12]：中国国内企业盲目扩张产能和产量导致市场供应严重过剩，是造成国内产业损害的原因。REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司提出了近似的意见，这两家公司还提出，中国国内市场需求在任何时候都不是仅由国内产业满足，中国国内产业同类产品产量小于国内表观消费量，并不代表国内产业同类产品不供过于求[13]。

对此，调查机关进行了调查，根据中国电子材料行业协会出具的《关于中国多晶硅产能产量情况的说明》显示，调查期内，国内产业全行业产能扩大较快，从2008年的15000吨增长至2009年的40000吨、2010年的74500吨、2011年的145730吨、2012年1-6月的87000吨，与此同时，国内市场表观消费量2008年为16543.79吨，2009年为41489.36吨，2010年为90304.54吨，2011年为146130.62吨，2012年1-6月为76480.80吨。调查期内，随着下游光伏产业的快速发展，国内市场需求旺盛，2012年2月工业和信息化部也发布了《太阳能光伏产业“十二五”发展规划》等产业政策，鼓励了国内产业的发展，但2008年至2011年，国内产业产能并未超过表观消费量，到2012年1-6月，国内产业产能相对表观消费量才有了更明显的扩大。

调查机关认为，调查期内，国内产业产能增长速度较快，对国内产业可能有一定的影响。产能的扩大一般会导致产量的增加，但调查期内国内产业同类产品的产量却远小于表观消费量，因此国内产业同类产品供应量远远小于国内市场需求，国内产业同类产品供给大于需求的情况并未出现。在一个市场化的环境中，为占有更多的市场份额，中国国内产业在产量远小于表观消费量的情况下扩大产能，是具有合理性的。调查机关也对可能受产能扩大直接影响的指标如国内产业的单位生产成本、单位销售成本进行了单独分析，调查期内，上述指标呈持续下降趋势，并未受到不利影响。如前所述，补贴进口产品对国内产业的价格影响已经存在，产能扩大并不足以否定此一事实。

调查机关认定，国内产业产能的扩大不足以否定补贴进口产品与国内产业实质损害之间的因果关系。

8.下游产品市场需求下降的影响。

赫姆洛克半导体公司提出[14]：多晶硅下游产品硅片在欧债危机后全球市场需求和价格下降导致多晶硅产品的市场价格出现普遍下滑，是造成国内产业损害的原因。REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司也提出了类似的主张[15]。

对此，申请人提出[16]，上述利害关系方的主张并不符合事实，光伏行业研究机构Solarbuzz在其研究报告中指出“硅片价格取决于多晶硅价格，”另一研究机构GTM在其研究报告中指出“多晶硅是光伏组件最大的成本要素之一”，这表明是多晶硅降价导致了硅片降价，而不是硅片降价导致了多晶硅降价。

调查机关认为，首先，与国内市场多晶硅价格直接相关的下游因素应该是国内市场的硅片需求量，而不是全球市场的硅片需求量，在调查期内，中国国内的太阳能电池片产量、太阳能电池组件产量、光伏装机量都呈上升趋势。其次，赫姆洛克半导体公司等利害关系方的主张，即多晶硅降价由下游产品硅片降价引起并没有直接证据支持。而根据REC太阳能级硅有限责任公司和REC先进硅材料有限责任公司向调查机关提交的硅片市场需求量[17]和欧洲光伏工业协会提供的世界光伏总安装量等数据都显示，2008年至2011年，全球硅片市场的需求量呈持续增长趋势，硅片在全球市场上供不应求，2008年至2012年，世界光伏总安装量也呈上升趋势。在下游需求上升时，国内产业同类产品价格却仍然呈快速下降趋势。这表明，国内产业同类产品价格下降是由下游需求之外的其他原因引起。如前所述，补贴进口产品对国内产业同类产品造成了价格压低。2011年开始，虽然全球硅片市场出现了供过于求的现象，但补贴进口产品对国内产业同类产品价格的压低影响依然存在，导致国内产业同类产品价格继续下跌，对国内产业造成了损害。因此，调查机关认定，调查期内，全球硅片市场需求变化并不能否定补贴进口产品与国内产业实质损害之间的因果关系。

9.来自欧盟、韩国的进口多晶硅产品影响。

2012年7月20日，商务部发布2012年第40号公告，对原产于美国、韩国的进口太阳能级多晶硅产品进行反倾销调查， 2012年11月1日，商务部发布2012年第70、71号公告，对原产于欧盟的进口太阳能级多晶硅产品进行反倾销、反补贴调查。目前，商务部已于2013年7月18日公布对进口自美国、韩国的多晶硅产品反倾销调查结果，认为其存在倾销，对国内产业造成了损害；对进口自欧盟的多晶硅产品反倾销、反补贴调查仍在进行中。

虽然来自韩国的进口产品与国内产业受到的实质损害之间有联系，来自欧盟的进口多晶硅产品与国内产业受到的实质损害之间的关系还有待调查，但单独考虑美国的补贴进口产品，其进口量呈持续增长趋势，在国内市场始终保有一定份额，对国内产业同类产品造成了价格压低作用，对国内产业的经济指标造成不利影响，对国内产业造成了实质损害。

调查机关认为，来自韩国的进口产品与国内产业所遭受的实质性损害有所关联，来自欧盟的进口多晶硅产品与国内产业受到的实质损害之间的关系还有待调查，考虑来自美国的补贴进口产品，它也是造成国内产业实质损害的原因之一，不能否认其与国内产业损害间的因果关系。

10.其他未受调查的国家（地区）进口产品影响。

中国海关统计数据显示，调查期内，还有进口自日本、中国台湾等国家（地区）的太阳能级多晶硅（以下称“其他进口产品”），从数量上看，其他进口产品在中国市场占有一定份额，但其市场份额在调查期内呈总体下降趋势，2008年为34%，2009年为11.2%，2010年为7.05%，2011年为7.62%，2011年1-6月为8.26%，2012年1-6月为5.53%。调查期内其他进口产品的价格（CIF价格）也始终同补贴进口产品的价格（CIF价格）互有高低，无证据表明其他进口产品存在补贴。因此，调查机关认为，其他进口产品并不能否定补贴进口产品与国内产业损害之间的因果关系。

11.国内产业政策的影响。

赫姆洛克半导体公司提出[18]：调查期内，中国政府采取的一系列产业政策影响了国内产业发展。

调查机关认为，中国政府产业政策的根本目的在于限制一些小规模、低水平的多晶硅项目的重复建设，以推动产业的长期健康发展，而不是限制产业的发展。事实上，构成本案国内产业的四家企业均在第一批通过审核的企业名录上，并不属于受限制的小规模、低水平的多晶硅项目。国家产业政策的影响不能否定补贴进口产品与国内产业实质损害之间的关系。

基于以上证据事实和分析，美国补贴进口产品与国内产业遭受实质损害之间存在因果关系，调查期内其他已知因素可能造成的影响不足以否定该因果关系的认定。

九、最终调查结论

根据上述调查结果，调查机关最终裁定，在本案调查期内，原产于美国的进口太阳能级多晶硅存在补贴，国内太阳能级多晶硅产业受到了实质损害，而且补贴与实质损害之间存在因果关系。

有关公司的从价补贴率如下：

1.赫姆洛克半导体公司                       2.1%

（Hemlock Semiconductor Corporation）

2.REC太阳能级硅有限责任公司                0.2%

（REC Solar Grade Silicon LLC）

3.REC先进硅材料有限责任公司                  0%

（REC Advanced Silicon Materials LLC）

4.MEMC帕萨迪纳有限公司                       0%

（MEMC Pasadena,Inc.）

5.AE Polysilicon Corporation                2.1%

6.其他美国公司                              2.1%

（All Others）

[1] 详见《关于对原产于美国和韩国的进口太阳能级多晶硅的反倾销/反补贴调查被调查产品范围和申请书的评论》第2-6页和《进口太阳能级多晶硅反倾销和反补贴调查无损害抗辩意见书》第47-52页

[2] 详见《对REC<提请召开太阳能级多晶硅反倾销/反补贴调查产品范围听证会的申请书>的评论》第2-5页

[3]详见《国外<地区>生产者/出口商调查问卷答卷》附件2.11

[4] 详见《太阳能级多晶硅产品反倾销和反补贴案调查无损害抗辩》第12页

[5] 详见《美国政府在关于原产于美国和韩国的多晶硅产品产业损害听证会上的发言》第5页

[6].详见《进口太阳能级多晶硅反倾销和反补贴调查无损害抗辩意见书》第22页

[7] 详见《太阳能级多晶硅产品反倾销和反补贴案调查无损害抗辩》第14-15页和《进口太阳能级多晶硅反倾销反补贴调查案产业损害调查听证会陈述意见》第9-15页

[8] 详见《进口太阳能级多晶硅反倾销和反补贴调查无损害抗辩意见书》第5-7页和《关于对<中华人民共和国商务部对原产于美国和韩国的进口太阳能级多晶硅调查的初步裁定>的评论》第6页、《关于太阳能级多晶硅产品反倾销和反补贴案产业损害调查听证会发言材料》第2页

[9] 详见《进口太阳能级多晶硅反倾销反补贴调查案产业损害调查听证会陈述意见》第7页

[10] 详见《太阳能级多晶硅产品反倾销和反补贴案调查无损害抗辩》第15-25页和《进口太阳能级多晶硅反倾销反补贴调查案产业损害调查听证会陈述意见》第16页

[11]详见《进口太阳能级多晶硅反倾销和反补贴调查无损害抗辩意见书》第8-11页和《关于对<中华人民共和国商务部对原产于美国和韩国的进口太阳能级多晶硅反倾销调查的初步裁定>的评论》第6-7页以及《关于太阳能级多晶硅产品反倾销和反补贴案产业损害调查听证会发言材料》第2页

[12] 详见《太阳能级多晶硅产品反倾销和反补贴案调查无损害抗辩》第27-31页和《进口太阳能级多晶硅反倾销反补贴调查案产业损害调查听证会陈述意见》第21-24页

[13] 详见《进口太阳能级多晶硅反倾销和反补贴调查无损害抗辩意见书》第29-34页和《关于对<中华人民共和国商务部对原产于美国和韩国的进口太阳能级多晶硅反倾销调查的初步裁定>的评论》第7页以及《关于太阳能级多晶硅产品反倾销和反补贴案产业损害调查听证会发言材料》第4页

[14] 详见《太阳能级多晶硅产品反倾销和反补贴案调查无损害抗辩》第27-31页

[15] 详见《进口太阳能级多晶硅反倾销和反补贴调查无损害抗辩意见书》第36-37页、《关于对<中华人民共和国商务部对原产于美国和韩国的进口太阳能级多晶硅反倾销调查的初步裁定>的评论》第7-8页和《关于太阳能级多晶硅产品反倾销和反补贴案产业损害调查听证会发言材料》第4-6页

[16] 详见《太阳能级多晶硅反倾销和反补贴案产业损害听证会申请人意见陈述》第5-8页

[17] 详见《进口太阳能级多晶硅反倾销和反补贴调查无损害抗辩意见书》第35页

[18]详见《进口太阳能级多晶硅反倾销反补贴调查案产业损害调查听证会陈述意见》第18页